非挥发性记忆体的发展趋势.docVIP

非揮發性記憶體以許多不同的形式存在。圖1所示為隨時間演變的各種非揮發性記憶體類型。 由於應用需求的推動，非揮發性記憶體技術發展非常迅速。過去，許多應用只需儲存少量啟動程式碼即可，而現在的應用卻需要儲存數GB的音樂和視訊數據，也因此為非揮發性記憶體的發展帶來革命性的變化。非揮發性記憶體起源於簡單的光罩唯讀記憶體(ROM)，隨後演變成PROM，再後來成為EPROM。而1988年英特爾公佈了快速隨機存取的NOR快閃記憶體。儘管EPROM技術已經有了10多年的歷史，成熟度也大為完善，NOR快閃記憶體還是迅速佔領了EPROM的記憶體介上市場。而NAND快閃記憶體比NOR技術更早，已經有20多年歷史了。最初，NAND快閃記憶體的年度發貨量增幅緩慢，後期則成為市場上炙手可熱的產品，其在市場上取得的成功主要歸功於它獨特的特點。 從讀取和寫入的角度來看，揮發性記憶體通常都是非常快速的，而非揮發性性記憶體的寫入一般較為緩慢；非揮發性記憶體還在寫入上存在著固有的侷限性，在一定次數的寫入作業後，記憶體會達到自己的承受極限而出現故障。而理想的記憶體應當具備非揮發性以及與SRAM類似的存取速度，同時沒有讀取/寫入限制，以及只消耗非常少的功率，這正是推動最新一代非揮發性記憶體快速發展的因素。 沒有任何一款新記憶體能夠在所有領域都取得優勢，但這些記憶體均在記憶體特性的某些重要方面取得了關鍵性的進步。nvSR