高介电薄膜特性研究—沈积二氧化铪薄膜的退火分析.docVIP

高介電薄膜特性研究—沈積二氧化鉿薄膜的退火分析 本研究針對退火後的二氧化鉿薄膜，作物理特性分析。試片分為2.5、5 及10的二氧化鉿薄膜以 Atomic Layer Deposition，ALD 鍍製在矽 100 基板上鍍膜溫度為300℃鍍製完的furnace 高溫退火，選擇高於鍍膜溫度的450 ℃、 550 ℃、 650 ℃ 和 750 ℃退火10分鐘。厚度、密度、介面粗糙與結晶變化等物理性質將以X射線反射儀 XRR 和 低掠角X射線繞射儀 GIXRD 其退火前後的變化，此物理特性將隨退火溫度變化。另外，在X射線反射儀的模型分析上，使用穿透式電子顯微鏡 TEM 確認其基板上的雙層膜結構，雙層膜模型分析。使用Scherrer薄膜的繞射峰半高寬，得到隨退火溫度變化的晶粒尺寸趨勢圖。