高温超导微滤波器之设计与制作.docVIP

高溫超導環型微條微波元件之應用 郭義雄 鄭慧愷 國立交通大學電子物理所 E-mail: ysgou@cc.nctu.edu.tw 在應用電子學裡，超導微波元件乃是為科學家所欲追求可用以替代現今金屬或半導體材料為主之器件。主要乃根據超導體本身在微波區間裡所具有之低損耗之功能。藉此功能，因而導致形體為更小者。 換言之，在現今普遍適用的積體電路製作考量過程裡，一個形體愈小而擁有更低噪音之器件，且尚具價廉者，這是商業上，也是科學家與工程學家共同追求的目標。如今，高溫超導其Tc已可高達100多度K時，在價格上因液氦之昂貴與稀有性已可被液氮所取代。在控溫技術所耗損之價錢，據估計必可降至一般可大型應用之水準。事實上，由於現今傳統一般微波系統已具相當完善之水平，縱使高溫超導微波器件具有更高形體與功率操作之優越性。在基於成本考量上，整套昂貴通訊系統(高達數億元)之更新，仍尚有很大困難。故依本人看法，除非高溫超導能擁有百分之百在價格上超越現今之系統或器件，則超導在微波方面之運用仍舊會侷限在某些特定(如太空通訊或軍事上等)的功能上而已。除上述經濟效益考量外，高溫超導元件在通訊方面應用仍有待科學家繼續努力於下述兩個重要問題： (1)發掘更高臨界溫度超導體(甚至達到室溫)；(2)此材料必需具有極高穩定性與複製性。 超導微波元件除了有商業應用性之考量外。事實上，在學術之研究上它扮演提供高溫超導基本物理性質一個最重要角色之一。因為，一般超導微波元件傳輸線或是共振腔，皆可由其溫度變化中量取精確的共振頻率之偏移，而得知感應阻抗之變化，進而取得超導穿隧深度隨溫度變化關係。進而可得知超導載子態密度隨溫度改變之性質。這些數據可用以鑑證理論預言超導古柏對之能隙態準確性。另外一方面，也可由共振信號之品質因子Q值，得知超導態中準粒子之物理行為。例如由Q值，直接經由校正二流體模型估算出實數部分傳導係數，而由此傳導係數得知該準粒子之「生命時間」。(LAO)基板的上、下二面蒸鍍釔鋇銅氧（YB2Cu3O7-(）之高溫超導薄膜技術。並將薄膜研製成有隙縫或沒有隙縫之超導環形共振器（圖一）。如圖一(a)，係為沒有隙縫之元件，本身具有兩個簡併模。其中一個模為整個環為一全波長，還有另外一個模，相 圖一.(a)無隙縫和(b)有隙縫之YBCO超導環型共振器。 對稱於兩個偶合線，其半邊各分裂為一半波長，對整環而言也是一個波長。因此，上述兩模即成為兩個簡併模。所以，此微波共振環如在環沿上加以場的微擾（如圖一(b)，掘一小隙縫對稱於兩偶合線上時），立即分裂成兩個不同模。所以，可經微擾製作成一雙模(dual-mode)的共振元件。其分裂成雙模的原因可由雙擺模型加以解釋。事實上，其如同於兩個單擺經偶合後，其穩定態分別為同相位與異相位之兩態。因此，分裂後之兩頻率乃分別對應於此兩態。此外，分裂之兩頻率與原來簡併模頻率之關係乃與隙縫之位置有關。由於微條環狀共振器有此基本特性。因此，極易取得變頻，故如能掌控邊緣上場的有效干擾，則在通訊電子元件必能得一可調微波共振器。事實上，高溫超導微波元件，在臨界溫度下，其場皆侷限在表面邊緣之穿透深度裡，故若薄膜在離邊緣大於穿透深度時之區間有些雜質或孔洞，這對於微波元件之基本性質不會造成傷害。換言之，在薄膜製造之過程，其具有極大之忍受度，這可由環中蝕刻一空穴，而其共振頻譜仍完全一樣得證[2]。 在基礎物理研究上，由於所製作一個完整和一個有隙縫的環狀共振器可以量得比一般微波共振器（利用單晶）所無法得到的實驗數據；也就是我們在單一樣品上，得取物理量與頻率之關係。再者，我們的樣品為磊晶之薄膜，並且可在同一樣品取得不同氧含量。這兩者之數據可提供瞭解高溫超導物理行為之更多訊息。事實上，對一般人而言，單晶能提供簡化和乾淨的實驗數據。但磊晶薄膜之研製成功，不僅代表的是前述應用之前瞻性，而且提供正確的實際高溫超導性能。後者，例如點雜質對超導態與準粒子的影響，這些確實提供超導配對對稱態與準粒子之獨一無二的信息。在實驗的過程裡，我們經由量取樣品之穿透係數S21﹑共振頻率f及其半高寬(f可計算其品質因子，Q = f/[(f (1-S21)]。再由共振頻率隨溫度之飄移(f，可得知電感係數之變化，藉由電感與穿透深度之關係，即可求取穿透深度。利用微波表面阻抗，Zs(T) = Rs(T) + jXs(T)與 Drude模式，可獲知在ab平面上的複數導電率((T)。利用上述之結果，輔以改良式二流體模型，我們可獲知倫敦穿透深度及準粒子(quasiparticle)散射之鬆弛時間對溫度和頻率的關係。由此進一步瞭解不同氧含量下underdoped CuO2平面對於同一樣品之物理特性的影響。有關本實驗中之一些重要結果，簡述如下： 從量測環形共振器之共振頻率的變化，可估算基板之介電常數。在5K時