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基于IGBT的PWM变流器控制 目前在各个领域实际应用的整流电路几乎都是晶闸管相控整流电路或二极管整流电路。晶闸管整流电路的输入电流滞后于电压，其滞后角随着触发延迟角α的增大而增大，位移因数也随之降低。同时，输入电流中谐波分量也相当大，因此功率因数很低。二极管整流电路虽然位移因数接近1，但输入电流中谐波分量很大，所以功率因数也很低。如前所述，PWM控制技术首先是在直流斩波电路和逆变电路中发展起来的。随着IGBT为代表的全空性器件的不断进步，在逆变电路中采用的PWM控制技术以相当成熟。目前，SPWM控制技术已在交流调速用变频器和不间断电源中获得了广泛应用。把逆变电路中的SPWM控制技术用于整流电路，就形成了PWM整流电路。通过对PWM整流电路的适当控制，可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因数近似为1.这种整流电路也可以成为单位功率因数变流器，或高功率因数整流器。 IGBT简介 由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构，可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成，由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。。以图1为例分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时，器件处于反向截止状态。此时J1、J3结反偏、J2结正偏，J1、J3反偏结阻止电流的流通，反向电压主要由J1承担。当栅极G与发射极E短接，集电极C相对于栅极加正电压时，J1、J3结正偏、J2结反偏，电流仍然不能导通，电压主要由反偏结J2承担，此时IGBT处于正向截止。PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获较好的正向阻断特性，而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极C加正电压，栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道开启，器件进入正向导通状态。 L i Idc + e v vdc EL 图2.1 当不计功率开关管桥路损耗时，由交、直流侧功率平衡关系得 i v = idc vdc 式中 v、i——模型电路交流侧电压、电流； vdc、idc———模型电路直流侧电压、电流。 稳态条件下，PWM整流器交流侧矢量关系如图2.2 所示。为简化分析，对于PWM整流器模型电路，只考虑基波分量而忽略PWM谐波分量，并且不计交流侧电阻。这样可从图2.2分析：当以电网电动势矢量为参考时，通过控制交流电压矢量V即可实现PWM整流器的四象限运行。若假设｜I｜不变，因此｜VL｜＝ωL｜I｜也固定不变，在这种情况下，PWM整流器交流电压矢量Ｖ端点运动轨迹构成了一个以｜VL｜为半径的圆。当电压矢量V端点位于圆轨迹A点时，电流矢量I比电动势矢量E滞后90°，此时PWM整流器网侧呈现纯电感特性，如图2.2a所示；当电压矢量Ｖ端点运动至圆轨迹B点时，电流矢量I与电动势矢量E平行且同向，此时PWM整流器网侧呈现正电阻特性，如图2.2b所示；当电压矢量V端点运动至圆轨迹C点时，电流矢量I比电动势矢量E超前90°，此时PWM整流器网侧呈现纯电容特性，如图2.2c所示；当电压矢量Ｖ端点运动至圆轨迹D点时，电流矢量I与电动势矢量E平行且反向，此时PWM整流器网侧呈现负阻特性，如图2.2d所示。以上，A\B\C\D四点是PWM整流器四象限运行的四个特殊工作状态点，进一步分析，可得PWM整流器四象限运行规律如下： I V D D D I D V E E E VL E VL C A C A C V A C A VL I V I B B B B a b c d a 正阻性负载 b——纯感性负载 c——纯容性负载 d——负阻性负载 E交流电源电动势 VL交流侧电感电压 V交流侧电压 I交流侧电流 (1)电压矢量Ｖ端点在圆轨迹AB上运动时，PWM整流器运行于整流状态。此时，PWM整流器需从电网吸收有功