电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答.docVIP

第4章 场效应管放大电路与 功率放大电路 4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。 图4.1 习题4.1图 解：(a) N沟道 耗尽型FET UP=－3V； (b) P沟道 增强型FET UT=－4V； (c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。 4.2 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = －8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道？(2) 计算UGS = －3V是的ID；(3) 计算UGS = 3V时的ID。 解：(1) N沟道； (2) (3) 4.3 画出下列FET的转移特性曲线。 (1) UP = －6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(2) UT = 8V，K = 0.2mA/V2的MOSFET。 解： (1) (2) 4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。 解： 4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。 解： (a) 能放大 (b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大 （d）不能放大，增强型不能用自给偏压。共漏，可增加Rd，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。 图4.2 习题4.5电路图 4.6 电路如图4.3所示，M