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IGBT与可控区别
请问,在整流器中,应用IGBT整流与用可控硅整流有什么差别?另外,功率器件IGBT与可控硅的整流有什么区别?谢谢
努力工作,多多挣钱
2008-3-2 13:23:48 IP: 保密
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可控硅整流器能够均匀调节输出电压,
绝对珍藏:《深入浅出西门子S7-200PLC第二版》电子版变频器与PLC资料下载,天天更新?
2008-3-2 21:31:25 IP:保密
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看看这个
摘要:本文对历年来得到广泛应用的可控硅全桥并联逆变固体电源以及近几年得到快速发展的IGBT半桥串联逆变固体电源的各项性能及它们的适用配套对象(电炉)进行了详细的比较分析。它将有助于用户根据各自的工艺要求正确、合理、经济地选用合适的供电电源。
关键词:可控硅;IGBT;中频固体电源,感应电炉
The performance comparison between MF power supply with SCR and IGBT
Yan Wenfei Yin Jingxing ( Xi’an Mechanical and Electric Research Institute 710075)
Abstract: The performance and it’s application for the SCR solid state MF power supply and IGBT solid state MF power supply was analyzed. The conclusion got in this article is helpful for the clients to select the correct, reasonable and economic MF power supply in accordance with their individual process requirement.
Keywords: SCR, IGBT, MF solid state power supply , induction furnace
1. 前言
在我国的铸造界中,一般对配置可控硅(SCR)全桥并联逆变固体电源的中频感应电炉通常俗称为中频炉,其逆变部分电路如图1。而对配置IGBT半桥串联逆变固体电源的中频感应电炉通常俗称为变频炉(这个称呼并不确切,只是为了与配置可控硅全桥并联逆变器的中频炉相区别),其逆变部分电路如图2。由于这二种感应电炉的逆变供电电源不同,所以它们的工作性能也有很大的区别。西安机电研究所既生产配置SCR全桥并联逆变固体电源的中频炉,也生产配置IGBT半桥串联逆变固体电源的变频炉。下文将对它们的优缺点和适用范围作一简单比较,以使用户能够根据各自的工艺要求正确选择这二种不同类型的电炉,
图1 SCR全桥并联逆变器原理图 图2 IGBT半桥串联逆变器原理图
2. 固体电源的各项性能比较
2.1 目前可以提供的上述二种产品规格
经过近几十年的发展,可控硅已成为一种非常成熟的电力半导体元件。目前国外著名的SCR制造商可以提供2700 A/2500 V等级的快速可控硅器件。如图1所示,在SCR并联逆变器中,并联补偿电容器和电炉的感应线圈自成振荡回路,流过可控硅的电流通常是电炉感应线圈电流的1/6—1/10(熔化负载)。因此SCR全桥并联逆变器通常可以做到更大的功率。西安机电研究所现在生产的SCR全桥并联逆变固体电源的功率范围是160 ~ 3000 kW
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种新型电力半导体器件,正处在成熟发展过程中。现在进入实用阶段的大电流IGBT的规格是1200 A/1200 V(德国进口)。从图2可见,在IGBT半桥串联逆变器中,补偿电容器与电炉的感应线圈串联,不能自成回路,电炉感应线圈的电流必须全部流过IGBT。在这种电路中,IGBT通常采用多个并联工作。但IGBT是一种快速开关器件,其关断时由于连接铜排电感的作用,会在IGBT上产生较高的关断过电压,如图3。这个过电压不能高于IGBT的额定耐压,否则会造成IGBT损坏。也就是说,连接铜排的
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