IGBT故障电限制电路高效率.docVIP

IGBT故障电流限制电路高效率，短路耐受时间长的IGBT的需求量正在增加，但是，设备固有权衡使得设计者无法同时满足这两点要求。本文提出的电路，通过限制故障电流强度延长了高效（高增益）IGBT的短路耐受时间，同时，由于限制了故障电流强度，关断电压瞬变被降低了，这是一种可取的副作用，特别是在较高的电流模块中。此外，负面的米勒效应也被有力地均衡了。如果故障电流是短时瞬态类型，电路便恢复正常运行；在容易产生噪音的系统中，这是一种独特并且理想的结构。 这种电路并不需要外接直流电源；并且它的结构简单，使得将其集成于IGBT模块或将其用作于门极驱动和模块之间的接口变得可行。 引言 功率晶体管被用来控制和转变电气设备的电力，这一过程是通过在预定情况下开启/关断功率晶体管来完成的。程序设计者选择这些装置，并通过它们在正常情况下可靠地控制电路电流，同时，估算过载情况。而在故障或短路电路中，一个功率晶体管也许会承受非常高的浪涌电流----其强度主要被自身增益所限制；这时，只有及时地控制及消除故障电流（采用外部措施）才能防止装置发生故障。 在可能发生故障的应用中，如电机驱动市场就是最好的例子；外部保护电路被用来检测故障并通过关闭基地/门极驱动来关断晶体管。在所述应用中，除使用“智能模块”的装置之外，都在外部接有保护电路。 因此，半导体装置制造商被要求保证最低短路承受时间---一种用来测量装置故障电流承受时间的方式。一种设备权衡介于短路耐受时间与功率晶体管的电流增益之间，即，晶体管的增益越大，故障电流强度就越大，同时短路耐受时间就越短。由于IGBT固有的增益更高，所以，这种权衡对于IGBT制造商来说更为重要。如今应用的低增益IGBT虽然具有更长的短路耐受时间，但操作效率却降低了。另一方面，高增益IGBT也需要更灵敏的外部保护电路来维持其更高的效率。 市场趋势是提高系统效率，这就转变为了对高效率IGBT的需求。具有更长短路耐受时间的IGBT仍被普遍应用，特别是在现有设计中。 本文提出的故障电流限制电路（或FCLC）帮助我们完成上诉两个目标。这种电路通过检测故障并降低栅极电压而工作。降低的栅极电压限制了故障电流的强度并因此而延长了短路耐受时间[4,5]。例如，延时允许转换瞬态和负载电流尖峰的延续，而后者是由电机电缆的充电电流引起的。如果故障电流是只持续几微秒的瞬时型，电路将恢复栅极电压，器件也将不受阻碍地正常运行；在容易产生噪音的系统中，这是一种理想的器件。但是，市场上现有的许多驱动/保护集成电路（ICs）≈250℃），器件将失去阻断能力，使得依靠栅极控制的保护方式不再可行。 降低故障电流幅值能够限制IGBT模块的功耗，从而延长故障耐受时间。 IGBT可能在短路状况下长时间工作，却在关断时因为以下状况发生故障。 锁闭：正如其他文献所述【3】，IGBT的四层结构与晶闸管相似。通过限制两个晶体管的增益以及降低NPN晶体管 rb’的基极阻值可以停止晶闸管的工作。 当IGBT在故障情况下被关断、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）通道开始关断时，器件的大部分电流改变方向流经rb’。rb’上的压降使NPN晶体管的基极-发射极正向偏压，使其开启并产生IGBT的再生锁闭。 降低关断时的故障电流以减小流过rb’区域的电流量来充分地降低类晶闸管关断的可能性。 超过额定电压：大的故障电流的下降率在外部电路杂散电感和内部封装电感中产生一个等于Ldi/dt的电压。如果这个过压过大，就会使开关转换器件发生雪崩击穿；如果储存在杂散电感内的能量超过了晶体管的雪崩承受能力就会导致器件失效。 尽管外部电路杂散电感能够通过退偶电容极大地降低，内部封装电感仍达不到用户的要求。因为关断di/dt随着电流幅值增长，在大电流模块中能够轻易地达到几千A/ms。结温较低时，储存在器件中的电荷复合更快，这种情况更糟糕。由此产生的高di/dt会在IGBT模块中产生高的过压而引起故障。 通过减缓故障电流关断di/dt能够避免失效模式，即，通过（1）增加关断栅极电阻，（2）降低栅极驱动电压，或者（3）在关断前减小故障电流幅值。 因为会增强不利的米勒效应【1】，增加关断栅极电阻并不是十分可行的解决方案。其他两种方法则可以避免此不利影响。 通过以上讨论，我们能清楚地认识到:降低故障电流幅值能减小在故障情况下引起IGBT失效的三个主要应力。 本文提到的FCLC能够满足以下理想属性： 该电路能够限制允许通过IGBT的最大故障电流并能够降低承受大电流的器件以及这个系统的其它部分的应力。 该电路能耐受噪音和其他不利因素。由于高开关di/dt以及杂散电路电感，开关电路会产生噪音。故障探测方法应该忽略如二极管恢复等类似情况产生的噪音以及瞬时过电流。 在“导通出现故障”及“开关进入故障”之类的情况下，该电路应该足