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SPD-032型硅雪崩光电探测器 本产品是0.4～1.1μm波长信号的优良探测器，它具有n+p-πp+达通型（Reach-through）结构，兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三优点。内部的雪崩倍增效应可使光流放大120倍以上。其性能相当于EGG公司的C30817，可相互替代使用。适用于激光测距、测速、测角、光电探测、光电信息传输和光电对抗等系统。 1．主要光电特性（℃） 参数名称 工作波长 μm 符号 数 值 单 位 最小 最大 光敏面直径 Ds 0.80 mm 电流响应度 1.06 S 15 A/W 0.9 65 雪崩增益 G 120 暗电流 IR 200 nA 噪声等效功率 1.06 NEP 0.15 pW/Hz1/2 0.9 0.036 脉冲响应时间 0.9 tr,tf 3 ns 雪崩击穿电压 VBR 300 475 V 最大额定值 项 目 符 号 条 件 数 值 单 位 最小 最大 额定工作温度 TA -40 70 ℃ 存贮温度 Tstg -45 125 ℃ 最大反向暗电流 IRmat TA 25℃ VR 0.9VBR 100 μA VBR平均温度系数 αr TA -20～50℃ 1.8 2.2 V/℃ p 可靠性考核条件 主 要 项 目 GJB128A 试验方法 条 件