光电耦合器可靠的噪声表征1.docVIP

光电耦合器CTR的噪声表征 胡瑾1 杜磊1庄奕琪2何亮1 包军林2黄小君1陈春霞1 卫涛1 王栋1 1.西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071 2.西安电子科技大学微电子学院，西安 710071 摘要 光电耦合器件陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素，并与可靠性有密切关系。在器件内部的多种噪声中，低频1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度。本文在研究红外光电耦合器（后简称光电耦合器）工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上，建立了光电耦合器的CTR表征模型及1/f噪声模型。通过所建立光电耦合器电学模型和噪声模型得到了光电耦合器性能表征参量CTR与低频1/f噪声之间定性的关系。在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声，实验结果与理论模型符合良好。通过对其测量结果分析，深入研究了噪声和CTR的关系,证明噪声可以较电学参数更准确地反映器件可靠性，噪声幅值越大，电流指数越接近于2，则器件的可靠性越差，相同工作条件下CTR的老化衰减量越大，继而影响器件可靠性，造成失效率显著增大。 关键词:1/f噪声；光电耦合器；电流传输比；陷阱 PACC:7270, 5225G, 7960 1. 引言 近年来，随着光电混合集成电路技术的发展及生产工艺的日趋成熟,光电耦合器件在军用和民用领域都受到人们普遍青睐。但是，由于红外光电耦合器自身的结构较一般器件复杂，