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异质结发展现状及原理 pn结是组成集成电路的主要细胞。50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。pn结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的(例如锗、硅及砷化镓等)，所以称之为“同质结”。如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。掺杂类型不同的称为“异型异质结”。另外,异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结。 1 异质结器件的发展过程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月,肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。1956年三人因为发明晶体管对科学所做的杰出贡献,共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。 1949年肖克莱提出pn结理论,以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。由于技术条件的限制,当时未能制成pn结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。 1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结,比同质结具有更高的注入效率。 1962年,Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。 1968年美国的贝尔实验室和RCA公司以及苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal—。As双异质结激光器l；人5)．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对． 在70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料生长方法相继出现，因而使异质结的生长日趋完善。分子束外延不仅能生长出很完整的异质结界面，而且对异质结的组分、掺杂、各层厚度都能在原子量级的范围内精确控制。 2 异质结的结构、原理、 异型异质结 两块导电类型不同相同的半导体材料组成异质结称为异型异质结，有pN和Pn两种情况，在这里只分析pN异质结。两种材料没有接触时各自的能带如图所示。接触以后由于费米能级不同而产生电荷转移，直到将费米能级拉平。这样就形成了势垒，但由于能带在界面上断续，势垒上将出现一个尖峰．如图3．2m。我们称这一模型为Anderson模型。 理想pN突变异质结的能带图 同型异质结 两块导电类型相同的半导体材料组成异质结称为同型异质结，有nN型和pP型两种。处理同型异质结的能带图要比处理异型异质结困难一些，因为在异型异质结中界面两边的势垒都可以看成为耗尽，但在同型异质结中界面两边的载流子类型相同。下图3．7是nN异质结的能带图。窄带一边是电子的积累层，自由载流子对电荷有贡献的，情况比较复杂。 nN型异质结能带图 半导体异质结的应用： 1、半导体异质结激光器 半导体异质结激光器是第一个做得最成功的并能付之实用的异质结器件。1967年利用液相外延的方法制成了单异质结半导体激光器, 实现了在室温下脉冲工作, 其阐值电流密度比同质结半导体激光器降低了一个数量级。1970年, 贝尔实验室的研究工作者又一举实现了双异质结构的半导体激光器, 使半导体激光器出现了划时代的进展—在室温下连续工作, 并使闭值电流密度又降低了一个数量级阎.。双异质结是在禁带较窄的半导体激活层(发光层)两边连接宽禁带材料形成的。 经过几十年来的研究,半导体激光器得到了惊人的发展,它的波长从红外、红光到蓝绿光，覆盖范围逐渐扩大,各项性能参数也有了很大的提高,半导体激光器的制作技术经历了由扩散法到液相外延法(L PE) 、气相外延(VPE) 、分子束外延(MBE) 、MOCVD方法(金属有机化合物汽相淀积) 、化学束外延(CBE) 以及它们的各种结合型等多种工艺。其激射阈值电流由几百mA降到几十mA ，直到亚mA ，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时。从最初的低温(77K) 下运转发展到室温下连续工作，输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件) 它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10 %以上,最大可达50 %) 1 便于直接调制、省电等优点,因此应用领域日益扩大。 半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器,由于它的波长范围宽,制作简单、成本低、易于大量生产,并且由于体积小、重量轻、寿命长,因此,品种发展快,应用范围广,目