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浮法在线化学汽相淀积镀膜 技术手册 秦皇岛玻璃工业研究设计院 一九九六年五月  一、化学汽相淀积法镀膜原理 化学汽相淀积（CVD）工艺已成为膜制备方法中很重要的一类。本质上，CVD是一种材料的合成法。在这种方法中蒸汽相成份以化学方法反应形成固体薄膜，作为一种固相反应产物凝结在衬底上。反应应该接近或就在衬底表面上发生（复相反应），而且不应在气相下发生，以免粉末状淀积生成。反应的活化，可以用各种方法实现。已经观察到，工艺参数如衬底温度、气相压强、反应物的浓度、流率等，对淀积膜的性质有显著的影响。大约在五十年前，当耐熔化合物如金属碳化物、氮化物、硅化物、硼化物、氧化物以及它们的混合相进入广泛技术应用时，化学蒸汽淀积才开始对薄膜技术发生重要影响。今天薄膜技术的应用已扩展到制备金属膜和合金膜、元素半导体膜和化合物半导体膜、超导体膜、耐熔和硬质材料膜、透明导体膜及其它特殊膜。 考虑下述三种分解反应： Ni(CO)4200-300℃Ni+4CO SiH4800-1300℃Si+2H2 CH41000-2000℃C+2H2 显然，膜淀积要求相当高的温度，对衬底的高温加热，会导致大量的不必要的热损伤，这与材料的种类有关，温度也影响膜的结构。业已知道，高温时形成的淀积层一般是多晶，而在相对低的温度如600℃以下时，淀积的材料趋向于非晶态，它的结构是不稳定的。在