电子封装材料论：(SiC_P+Cu)-Al电子封装材料制备及组织性能研究.docVIP

电子封装材料论文：（SiC_P+Cu）/Al电子封装材料制备及组织性能研究 【中文摘要】本文采用冷等静压+预压制+热挤压方法制备出SiC质量分数为30%,Cu质量分数分别为5%、8%、10%的铝基电子封装材料。利用X射线衍射分析仪、透射电镜、扫描电镜、电子拉伸试验机、热导率测试仪、热膨胀测试仪等设备对(SiC+Cu)/Al复合材料的组织结构、力学性能以及热学性能进行了观察与测试。对冷等静压后的材料首先在300℃进行预压制以提高致密度。之后在400℃和450℃分别对其进行热挤压。结果表明,复合材料组织致密;增强体分布均匀,没有发生偏聚。450℃热挤压后复合材料中Cu与Al完全发生反应生成CuAl2,而400℃挤压后复合材料中有Cu剩余,说明挤压温度对Cu和Al之间反应影响较大。对400℃和450℃挤压后复合材料的力学性能进行了测试与分析。实验结果结果表明,无论400℃还是450℃挤压后的复合材料,抗拉强度和弹性模量都随着Cu含量增加而增加,这与Cu和Al原位反应有关。400℃挤压后复合材料的抗拉强度要高于450℃挤压后复合材料,但对于弹性模量,则450℃挤压后较高。对电子封装材料极为重要的热物理性能进行了测试与分析。试验结果表明,复合材料热导率在450℃和400℃挤压后都随着Cu含量的升高而增大,且400℃挤压后复合材料热导率要高于450℃。并应用Hasselman模型对复合材料