期末复习_半导体料(福大).pptVIP

名词解释 1.精馏提纯：精馏提纯是利用混合液中各组分的沸点不同(挥发性的差异)来达到分离各组分的目的。它是在精馏塔中，上升的气相与下降的液相接触，通过热交换进行部分汽化和部分冷凝实现质量交换的过程，经过多次交换来达到几乎完全分离各组分的提纯方法。 2.分凝现象：将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和末结晶的液体中浓度是不同的，这种现象叫分凝现象(亦叫偏析现象)。 3.区熔提纯：区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量被集中在尾部或头部，进而达到使中部材料被提纯的技术。 4.极限分布：经过多次区熔提纯后，杂质分布状态将达到一个相对稳定且不再改变的状态，把这种极限状态叫做极限分布或最终分布。 6.直拉法：又称乔赫拉尔斯基(Czochralski)法，简称CZ法。它是生长半导体单晶的主要方法。该法是在直拉单晶炉内，向盛有熔硅(锗)坩埚中，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按籽晶的方向长大 7.外延生长：外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 8.外延层：由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所生长的材料层叫做外延层。 9.外延层的分类： 同质外延:如果外延层与衬底是同种材料，则称为同质外延;异质外