实验课程及实验室安全预习报告-集成电路工艺实验.docVIP

电子科技大学微固学院 实验 （实验）课程名称 学号： 姓名： 实验地点： 实验日期： 电子科技大学制表 一、实验目的二、实验原理 硅片热氧化的工作原理： ：：是 刻蚀可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。 扩散的工作原理： 电子束蒸发的工作原理： 使用电子束蒸发金属铝，使之淀积到硅片表面，最终形成金属互连线。 三、实验内容： 刻蚀实验实验 氧化实验 掌握二氧化硅薄膜生长机理，了解工艺参数对二氧化硅薄膜性能产生的影响。 电子束蒸发镀膜实验 了解高真空对蒸发镀膜的必要性，了解常用的蒸发舟形状和镀料熔点。 器件参数四、实验仪器（设备、元器件）： 清洗设备一套光刻刻蚀设备一套。五、实验 操作人员必须严格按设备操作指导书和安全操作规程进行作业，注意设备本身及设备运行中的安全，特别要重视安全装置的检查和使用。 在电器仪表使用过程中，如发现有不正常声响，局部温升或嗅到绝缘漆过热产生的焦味，应立即切断电源，并报告教师进行检查。室不允许带食品和饮料入内，并要注意保持卫生清洁和过道通畅 不同氧化方式的氧化速率及氧化层质量有何差异？ 二氧化硅在集成电路中的应用包含哪些？本次实验过程中二氧化硅起到的作用有哪些？ 本次实验过程中我们使用的是接触式紫外光光刻机，由此可见，我们所制备的器件的关键尺寸大约为多少？ 使用湿法刻蚀二氧化硅薄膜时使用的溶液是什么？这种溶液如何对人类身体产生危害？ 热扩散分两步工艺完成，分别是