2015薄膜晶体管研究生考题.docVIP

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2017-06-08 发布于重庆
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2015薄膜晶体管研究生考题

研究生考题-----2015夏一、阈值电压 1. 分析如图所示AMOLED两管（α-Si:H TFT和LTPS-TFT）像素电路面临的问题及产生这些问题的物理机制。两管电路图驱动脉冲时序图带 2. α-Si:H TFT的阈值电压漂移现象是什么？ LTPS-TFT的阈值电压不均匀的现象是什么？这些现象产生的物理机制是什么？ 3. 典型的阈值电压电路补偿的方法有那些？ 4. 针对两管电路中驱动管阈值电压漂移以及OLED阈值电压变化，人们提出了大量的像素补偿电路。请分析如下图所示电压驱动LTPS-TFT像素补偿电路对驱动管阈值电压漂移或OLED阈值电压变化的补偿原理。（a）AMOLED像素驱动电路（b）驱动脉冲时序二、漏极电场工程什么是LTPS TFT的热载流子效应和kink效应，产生这两个效应的原因是什么？什么是LTPS TFT中的LDD结构，试画出其结构剖面图 LTPS TFT中的LDD结构是怎样解决TFT的kink效应问题的？给出LDD顶栅结构TFT的实现工艺图，分析该工艺技术的优缺点，在此基础上，进一步提出实现顶栅LTPS-TFT LDD结构的新的工艺方法，指出相对于该工艺的优势所在，用文字说明实现该TFT结构的主要工艺路线。三、电容耦合效应下图是α-Si:H TFT LCD驱动波形图，其中Vg为扫描线电压，Vd为信号线电压，分別加在TFT 的栅极和源极。在T1期间TFT 处于开态，像素电极电位Vp会被充电至信号电位Vd。在T2期间TFT处于关态，在由开态至关态的瞬间，Vp 会下降△V。分析△V产生的原因，△V的产生对显示器件有什么影响？解决方法有哪些且各有什么优缺点？四、2000字以上的综述（任选一题） 1. 金属氧化物TFT的发展现状、面临的问题及未来的技术发展趋势。 2. 有机TFT的发展现状、面临的问题及未来的技术发展趋势。