半导体物理第四章(2015.11.4)概要.ppt

4.5 强电场下的效应 一、欧姆定律的偏移 * 原因： 无外场时，载流子能量与晶格相同，两者处于热平衡态 电场存在，载流子在电场中获得能量，并以声子的形式传递给晶格。此时，载流子发射的声子数多于吸收的声子数，稳态情况下单位时间载流子从电场中获得的能量与给予晶格的能量相同。 在强电场的情况下，载流子从电场中获得的能量多，平均能量比热平衡时大，因而载流子与晶格不再处于热平衡态。 * * 二、速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。 n-Ge: * 三、耿氏效应 耿氏效应 n-GaAs外加电场强度超过 时，半导体内的电流以 的频率发生振荡 * * * * * * * * * * 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率和杂志浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度温度的关系 4.5 强电场下的效应 第四章 半导体的导电性 * 本章重点 载流子在外场作用下的漂移运动 载流子散射 迁移率、电导（阻）率随温度和杂质浓度的变化关系 * 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 一、欧姆定律的微分形式 二、漂移速度和迁移率 三、半导体中的电导率 * 一、欧姆定律的微分形式 * 二、漂移速