半导体物理与器件第九章2概要.ppt

半导体物理与器件 陈延湖 金属半导体结的整流接触特性，即肖特基势垒PN结的理想电压电流特性 金属半导体结的欧姆接触概念及特性 异质结典型能带结构及性能特点 本章重点问题： 第九章 金属半导体和半导体异质结 当金属作为引线电极将器件的电流或电压接入电路时，金半接触需要实现欧姆接触而不是整流接触。 良好的欧姆接触是器件制造的重点和难点，也是器件所必备的。特别对于高频和大功率器件。 9.2 金属半导体的欧姆接触 对于高频晶体管器件其性能品质因子为特征频率fT和最高震荡频率fmax 良好的欧姆接触保证较小的电极电阻Rb、Rc、Re，从而获得较大的ft、fmax 欧姆接触： 它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 理想欧姆接触的接触电阻很小，欧姆接触上的电压降应该远小于样品和器件本身的压降； V I V I 欧姆接触：线性IV曲线；零偏接触电阻 较小 如何实现欧姆接触： 选择合适的金属使半导体形成反阻挡层，反阻挡层没有整流作用。 9.2.1 理想非整流接触势垒 金属与n型半导体接触：当?m ?s时，在半导体表面形成反阻挡层 接触前 接触后 正偏 反偏 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒，就会有很大的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，很容易穿过势垒形成很大的反向电流 因而?M?s时金属与N型半导体形成欧姆接触，也就是半导表面