复旦集成电路工艺课件-14解析.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 刻蚀过程包括三个步骤： 反应物质量输运（Mass transport）到要被刻蚀的表面 在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应 反应产物从表面向外扩散的过程 湿法腐蚀的缺点 在大规模集成电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀所替代： （1）湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性 （2）干法腐蚀能达到高的分辨率，湿法腐蚀较差 （3）湿法腐蚀需大量的腐蚀性化学试剂，对人体和环境有害 （4）湿法腐蚀需大量的化学试剂去冲洗腐蚀剂剩余物，不经济 离子增强刻蚀-Ion Enhanced etching 等离子体刻蚀的化学和物理过程并不是两个相互独立的过程，而且相互有增强作用 集成电路工艺原理 第九章 刻蚀原理 INFO130024.02 372.065.1.01 集成电路工艺原理 第十四讲 薄膜淀积原理 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 接触与互连 第十一章 后端工艺与集成 第十二章 未来趋势与挑战 两大关键问题： 选择性 方向性：各向同性/各向异性 待刻材料的刻蚀速率 掩膜或下层材料的刻蚀速率 横向刻蚀速率 纵向刻蚀速率 图形转移过程演示 图形转移＝光刻