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第1~2章 矢量分析 宏观电磁现象的基本规律
设:直角坐标系中,标量场的梯度为,则在M(1,1,1)处
= , 。
已知矢量场,则在M(1,1,1)处 。
根据亥姆霍兹定理,当矢量场的源分布在有限大空间时,若在无限大空间唯一地确定一个该矢量场,则必须同时给定该场矢量的 及 。
一个矢量场至少有一种源,即不可能既是 无源 场,又是 无旋 场。
在矢量场空间取一有限大闭合曲面S,若对该闭合曲面的通量,则表示该闭合曲面内
的 通量源的数目代数和为零 。
写出线性和各项同性介质中场量、、、、所满足的方程(结构方程): 。
电流连续性方程的微分和积分形式分别为 和 。
位于真空中的理想导体表面电场强度为,则理想导体表面面电荷密度 。
设理想导体的表面A的电场强度为、磁场强度为,则
(A)、皆与A垂直。 (B)与A垂直,与A平行。
(C)与A平行,与A垂直。 (D) 、皆与A平行。 答案【B】
两种不同的理想介质的交界面上,
(A) (B)
(C) (D) 答案【C】
设自由真空区域电场强度,其中、、为常数。则空间位移电流密度(A/m2)为:
(A) (B)
(C) (D) 答案【C】
已知无限大空间的相对介电常数为,电场强度,其中、为常数。则处电荷体密度为:
(A) (B) (C) (D) 答案【D】
已知半径为R0球面内外为真空,电场强度分布为
求:(1)常数B;(2)球面上的面电荷密度及总电量;(3)球面内外的体电荷密度。
Sol. (1) 球面上
由边界条件 得:
(2)由边界条件得球面上:
面电荷密度
总电量
(3)由得:
即空间电荷只分布在球面上。
已知半径为R0、磁导率为??的球体,其内外磁场强度分布为
其中、为待定常数,球外为真空。求(1)常数、;(2)球面上的面电流密度。
Sol. 球面上(r=R0):为法向分量;为法向分量
(1)在空间应用。由于,为常数,则,即
球面上由边界条件得:
即
(2)球面上由边界条件,(即球内为2、球外为1)得
第3章 静电场及其边值问题的解法
静电场中电位??与电场强度的关系为 ;在两种不同的电介质(介电常数分别为和)的分界面上,电位满足的边界条件为 。
设无限大真空区域自由电荷体密度为,则静电场: ,= ????????? 。
电位? 和电场强度满足的泊松方程分别为 、 。
已知静电场的电位分布,则空间电荷体密度 。
介电常数为? 的线性、各向同性的媒质中的静电场储能密度为 。
对于两种不同电介质的分界面,电场强度的 切向 分量及电位移的 法向 分量总是连续的。
如图,、分别为两种电介质内静电场在界面上的电场强度,,,则????????, 。
理想导体与电介质的界面上,表面自由电荷面密度与电位沿其法向的方
向导数的关系为 。
试写出利用有限差分法求解二维狄利克雷边值问题时的无源节点上的差分方程。
答案:
如图,两块位于x = 0 和 x = d处无限大导体平板的电位分别为0、U0,其内部充满体密度 的电荷(设内部介电常数为)。(1)利用直接积分法计算0 x d区域的电位及电场强度;(2)x = 0处导体平板的表面电荷密度。
Sol. 为一维边值问题:
边界条件:,
(1)直接积分得:
(2)由得:
横截面为矩形的无限长直导体槽,内填空气。已知侧壁和底面的电位为零,而顶盖的电位为V0 。写出导体槽内电位所满足的微分方程及其边界条件,并利用直角坐标系分离变量法求出该导体槽内的电位分布。(略,参见教材例3.6.1)
如图,图(a)为一无限大理想导体平面上有一半球形凸起;图(b)为两块相互垂直的半无限大理想导体平面间有一球形凸起。设两种情况下球形凸起的球心都在坐标原点上,理想导体都接地。若在图示位置上放置一点电荷q0,则利用镜像法(1
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