4.p-n结案例.pptVIP

右图显示温度对硅二极管反向特性的影响．在低温时，产生电流占优势，且对于突变结(即W～VR1/2)，反向电流随VR1/2变化．当温度上升超过175℃，在VR≥3kT/q时，产生电流有饱和的趋势，扩散电流将占优． 电流－电压特性 在正向偏压下，电子由n区被注入到p区，而空穴由p区被注入到n区．少数载流子一旦越过结注入，就和多数载流子复合，且随距离呈指数式衰退，如图所示．这些少数载流子的分布导致在p-n结上电流流动及电荷储存。下面分析电荷储存对结电容的影响和偏压突然改变导致的p-n结的暂态响应. 被注入的少数载流子储存在中性n区，其每单位面积电荷可由对在中性区额外的空穴积分获得，如图的图形面积所示，由 少数载流子(minority carrier)的储存： 可得 电荷存储和暂态响应 类似的式子可以表示在电中性p区的储存电子．所储存的少数载流子数量和扩散长度及在耗尽区边界的电荷密度有关．由上式和 上式说明电荷储存量是电流和少数载流子寿命的乘积．这是因为若注入的空穴寿命较长，则在被复合之前，会更深地扩散入n区，因而 可储存较多的空穴． 得到 电荷存储和暂态响应 例7：对于一理想硅p+-n突变结，其ND＝8×1015cm-3．计算当外加1V正向 偏压时，储存在中性区少数载流子每单位面积的数目．空穴的扩散长 度是5um。 得到 解 由 电荷存储和暂态响应 当结处于反向