2011第三章汇总.ppt

由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。 为了解决这一矛盾， 就需要改进PN结光电二极管的结构。 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为 I )，这种结构便是常用的PIN光电二极管。  3.2.2 PIN型光电二极管 1、结构 I层：本征半导体层，电子浓度低 P层： P型半导体 N层： N型半导体 I层作用：增加了耗尽层宽度。提高响应速度。 I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对。因而大大调高了光电转换效率。 图3. 21 PIN光电二极管结构 2、工作原理 如果断开电路？ 则不会有电流 只有电势 当光从P区一侧入射，则光能量在被吸收的同时仍继续向 N区一侧延伸吸收，在经过耗尽层时，由于吸收光子能量，电子从价带被激励到导带而产生电子空穴对（即光生载流子），并且在耗尽层空间电场作用下，分别向N型区和P型区相互逆方向作漂移运动，并在外部电路形成光电流。