MOS的物理机制预案.docVIP

MOS的表面能带弯曲 说明: qψS ( 表面势能 ) = ( 半导体内的Ei ) – ( 表面处的Ei ); VGS 可使表面势ψs 变化 ( 基本是线性变化关系 ) ; Qn(y) 是沟道中的少数载流子面电荷密度. 半导体的Fermi势ψB 和 表面状态: 在半导体表面处的载流子浓度决定于表面能带的弯曲程度: nP0 = ni exp[(EF-Ei)/kT] ni ; pP0 = ni exp[(Ei-EF)/kT] ni . 在半导体内的Fermi势能(qψB = Ei-EF ) 可用半导体内的参量来表示: ∵半导体内的平衡多子浓度pP0 = ni exp[(Ei-EF)/kT] = ni exp(qψB /kT) ≈ NA , ∴ ψB =( Ei-EF )/q = (kT/q) ln(NA / ni ). 可见: 在ψs = ψB 时, 表面处的多子浓度将小于体内的多子浓度, 而少子浓度将多于 体内的少子浓度，即表面呈现为弱反型的表面; 在ψs = 2ψB 时, 表面处的多子浓度将远小于体内的多子浓度,而少子浓度将远