mos二极管预案.doc

实验一、了解晶体管（双极或者MOS）的基本图形结构 一、实验目的 通过观察去除封装的晶体管的电极分布情况，学会显微镜的使用，并通过显微镜的千分尺来学习测量金属条的宽度。最终掌握一种基本分析失效器件的手段——显微观察。 二、实验要求 在显微镜下观察给定结构的器件芯片，分辨各个有效作用区、弄清器件的版图及电极位置。 三、实验报告 1、绘制出晶体管的平面金属布线图，并根据管脚连接情况，标注相应的电极，比如双极晶体管，标出发射极（e）、基极（b）和集电极（c）。比如图1为GaAs的场效应器件的金属布线图。 2、画出上述相应器件的纵向结构图，即沿上面的平面金属布线的器件工作区域切开器件的话，所对应的各个扩散区的位置图。绘制的图如图2所示 3、测量给定图形的金属条宽度 说明：图1，图2是为了说明让大家绘制的图形的最终情况，与实验中的器件无关。 实验二、晶体管（双极）直流参数的温度特性 一、实验目的 通过测量双极晶体管在室温和高温（100℃左右）下器件的各直流参数，了解器件的各直流参数与温度的关系。 二、实验要求 1、弄清双极型晶体管主要参数的物理意义和使用半导体参数的基本方法。 2、测试样品为NPN或PNP管，区分这两类器件的类型和引脚 3、测量室温下晶体管的输出特性曲线，be结的正反向特性曲线。 4、测量高温下晶体管的输出特性曲线，be结的正反向特性曲线。采用烙铁加温2-3分钟