第二章：器件原.pptVIP

第二章电力电子器件的原理与特性 要求及重点 要求： 了解电力电子器件的发展、分类与应用； 理解和掌握功率二极管、SCR、MOSFET和IGBT等常用器件的工作原理、电气特性和主要参数。 重点： 各种电力电子器件原理、性能上的不同点，各自应用的场合（可工作区域）。 本章内容 2.1 电力电子器件概述 2.2 电力（功率）二极管 2.3 晶闸管（SCR） 2.6 电力场效应晶体管（电力 MOSFET） 2.7 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.1 电力电子器件概述 1、电力电子器件的概念 电力电子器件的是指可直接用于处理电能，实现电能变换或控制的电子器件，通常专指电力半导体器件。 和普通半导体器件一样，目前电力半导体器件所用的主要材料仍然是——硅。 2、主要损耗☆ 通态损耗：导通（相当于普通晶体管饱和导通）时器件上有一定的通态压降，产生损耗。 断态损耗：阻断（相当于普通晶体管管截止）时器件上有微小的断态漏电流流过，产生损耗。 开关损耗 开通损耗：在器件开通（阻断→开通）过程中产生的损耗； 关断损耗：在器件关断（开通→阻断）过程中产生的损耗。 对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一。 通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是造成器件功率损耗的主要原因。 器件开关（工作）频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 。 3、电力电子器件的特征☆（与信息电子器件相比） 功率远大于信息电子器件，从mW~MW。额定电压和额定电流等级是其最重要的参数； 工作在开关状态（相当于普通晶体管的饱和与截止状态），因而动态特性（开关特性）也是很重要的参数，有时甚至是最重要的参数； 需要用驱动电路驱动； 需要装散热器散热； 4、电力电子器件的发展概况 第一代电力电子器件 无关断能力的SCR（57年美国GE公司发明） 第二代电力电子器件 有关断能力的GTO(61年)、GTR/BJT(75年)等 第三代电力电子器件 性能优异的复合型器件如：IGBT(1983年)、智能器件IPM (Intelligent Power Module) 等 电力电子器件的发展目标和评价标准 70年代 — 大容量（电压、电流） 80年代 — 高频化（功率、频率） 90年代 — 高性能化 （大容量、高频率、易驱动、低损耗） 评价标准：功率容量、开关速度、通态压降、 驱动功率、驱动信号 现在 — 集成化、模块化、智能化 5、分类☆ 按其开关控制性能分类： 不控型器件： 无控制极，器件的导通与关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，正偏置导通、反偏置关断，如电力二极管(D) 半控型器件： 控制极（门极）只能控制管子导通而不能控制管子关断，器件的关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，如晶闸管(SCR)及其家族器件（FST、RCT、TRIAC、LTT） 全控型器件： 通过控制极（门极或基极或柵极）是否施加驱动信号既能控制管子导通又能控制管子关断，如GTO、GTR/BJT、IGBT、 MOSFET及其它新型场控器件MCT、IGCT、SIT、SITH、IPM等 小资料 电力二极管（D）——Power Diode 快恢复二极管（FRD）——Fast Recovery Diode 晶闸管/可控硅（SCR）——Thyristor （Silcon Controlled Rectifier） 快速晶闸管（FST）——Fast Switching Thyristor 光控晶闸管（LTT）——Light Triggered Thyristor 双向晶闸管（TRIAC）——Bidirectional triode Thyristor 逆导晶闸管（RCT）——Reverse Conducting Thyristor 小资料 门极可关断晶闸管（GTO）——Gate Turn Off Thyristor 集成门极换流晶闸管（IGCT）——Integrated Gate-Commutated Thyristor 电力晶体管（GTR）或双极结型晶体管（BJT）——Giant Transistor或Bipolar Junction Transistor 电力场效应晶体管（电力 MOSFET）—— 绝缘栅双极晶体管（IGBT）——Insulated-gate Bipolar Transister 小资料 MOS控制晶闸管（MCT）——MOS controlled Thyristor 静电感应晶闸管（SITH）——Static Induction Thyristor 静电感应晶体管（SIT）——Static Induction Transistor