光电信息存储材料及技术课件.pptVIP

* * 信息存储材料 一、磁性存储材料 二、光信息存储材料 三、MRAM材料及应用 一、磁性存储材料 在信息时代，大容量存储技术在信息处理、传递和探测保存中占据着相当重要的地位。 经过一个世纪的发展，磁性存储取得了巨大的进步，目前的磁记录密度已进入每平方英寸10吉位数的量级。 为了提高磁记录的密度，主要途径是增大介质的Hc/Br并降低介质的厚度。但记录后的输出信号正比于Br，因此提高介质矫顽力是关键。 磁记录材料先后经历了氧化物磁粉（γ-Fe2O3）、金属合金磁粉（Fe－Co－Ni等合金磁粉）和金属薄膜三个阶段。矫顽力和剩磁都得到了很大的提升。 金属薄膜是高记录密度的理想介质。因为薄膜介质是连续性介质，并具有高的矫顽力和高的饱和磁化强度。后者可有效的减薄磁性层的厚度。这些正是高记录密度介质所必备的性能。 纵向磁化记录－磁化方向与记录介质的运动方向平行的记录方式。如硬盘、软盘、磁带等。提高其存储密度的方式主要是提高矫顽力和采用薄的存储膜层。 垂直磁记录－磁化方向和记录介质的平面相垂直的记录方式。它可彻底消除纵向磁记录方式随记录单元缩小和膜层h减薄所产生的退磁场增大的效应，因而更有利于记录密度的提高。同时对薄膜厚度和矫顽力的要求可更宽松。但其对信号的读出效率较差，要求磁头必须距记录介质面很近。 高密度磁性存储磁头材料－ 磁记录的两种记录剩磁状态（±Mr）是由正、负脉冲电流通过磁头