太阳能光伏黑硅技术研究报告.ppt

目前由于银浆颗粒较大，银不能流入硅孔，栅线和硅的接触电阻较大 通过回流工艺，使银流入硅孔，形成准埋栅结构 银栅 准埋栅结构，减少接触电阻 由于多孔结构，黑硅的钝化有很大差别 研究反应自钝化工艺，实现表面、体内同时钝化 SiNx 黑硅的钝化 PECVD,ALD SiNx减反层，背铝 SiNx AL 各种工艺 折射率 等离子体注入制备黑硅太阳能电池 清洗 注入F+　　制备黑硅 掺杂P 　 形成ＰＮ结 吸附O-　　钝化 印刷电极 等离子体注入 收集栅的制作 探索全新栅线制作技术，减少栅电阻3倍，栅线20微米，提高效率2%，降低成本。 内容 一、背景 二、黑硅发现 三、黑硅制作新技术 四、各种黑硅技术比较 五、黑硅太阳能电池 六、进一步提高效率的方法 七、发展计划 黑硅整线制造装备 设备特点： 整线生产能力1500片/小时，和电池生产线匹配； 多种衬底适用，包括单晶硅、多晶硅、带硅等； 非常适合植入自动化生产线； 单面处理，避免背面损伤； 制备黑硅反射率可控，1%～15%； 碎片率极低，≤0.1%； 电池效率提高0.8%～1% 吸光：多孔陷光，SiNx减反层，背铝 产生电子空穴: 上、下转换，杂散能级，量子点，叠层 电子空穴分离： 浅结、耗散区、弯曲电场 传输: 少子寿命，表面完整性，表面和体内钝化 收集: 密栅、局部掺杂、新型微细栅 效率进一步提高：18%-20% * 珍惜每一缕阳光 感谢各位！ 极精微 集广成 * 本项目组的赵利教授曾是Mazur教授的黑硅成员之一 * * types of structures have been obtained by varying the parameters of PIII. Such as porous-like, needle-like, dual-scale, mountain-like, moth-eye and so on. * * * * * * 专利规避：目前绝大多数研究都集中于材料的表面改性，半导体应用的研究并不多。材料改性与半导体应用，特别是与源漏结的应用需求相差很多，材料改性的样品尺寸形状与晶圆不同，相应的注入能量相差很大，因此在设备的结构设计和注入工艺上都有很大不同。目前这个领域的知识产权并不象大型注入机刻蚀机一样完善。主要知识产权集中于自己的个性设备和工艺，部分专利涉及到具体的细节，例如X－射线的防护技术等，但限制并不多。且由于技术本身并不完善，还在因此还有很多值得研究。 高效太阳能电池新工艺研究成果介紹 夏洋 xiayang@ime.ac.cn 中国科学院 微电子研究所 2012.12.08 内容 一、背景 二、黑硅发现 三、黑硅制作新技术 四、各种黑硅技术比较 五、黑硅太阳能电池 六、等离子体掺杂制备PN结 七、原子层沉积钝化技术 八、进一步提高效率的方法 Cost per Watt Gross Margin First Solar $0.76 48.4% Trina Solar $1.1 32.1% Yingli Solar $1.3 33.5% Solarfun $1.3 21% SunPower $1.7 22.9% 成本+空间的占用 提高转换效率 有待技术突破 市场：销售额372亿，装机容量7.3GW 分布：欧洲 70%；美国 9%；中国 2%；日本等其他19% 一、背景 光伏电池产业分布 物理法有可能提高质量、降低成本和能耗 资料来源：EPIA 晶硅一直占主导地位, 中国硅晶体占~97%！ 厚度的限制： 200μm→ 120μm 多晶硅技术发展 大晶粒 晶界优化 起源：1999年，哈佛大学教授 Eric Mazur和他的研究生 C. Wu 在一次实验中意外发现了一种后来称之为黑硅的结构材料。随及在美军方资助下秘密研究了近10年。2008年成立SiOnyx公司，生产黑硅光电探测器。 短脉冲激光器 二、黑硅的发现 SF6 Si 二维 横向 移动 韩国成均馆大学利用RIE制备了柱状组织的黑硅，反射率6%，单晶电池转换效率可以达到15.1%； 美国NREL利用金诱导催化化学腐蚀制备孔状黑硅，单晶黑硅太阳电池效率达到了16.8%；2012年项目目标为单晶17.8%，多晶15.8% 复旦大学采用电化学腐蚀法制备了折射率呈梯度变化的多层多孔黑硅，其反射率在大波段范围内已达到5%以下；半导体所利用飞秒激光研究黑硅。 黑硅材料及太阳能电池研究 三、黑硅制备新技术：利用等离子体浸没离子注入制备黑硅：高效、易控、低成本、低反射率、低损伤。 单晶常规制绒 单晶PIII黑硅 多晶常规制绒 多晶PII