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第1章 半导体器件 1.1.1 半导体的导电特性 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间， 例如硅、锗、硒以及一些硫化物等都是半导体。 一、 本征半导体（纯净半导体） 本征半导体的导电性： 二、 杂质半导体 二、 杂质半导体 1.1.2 PN结的形成及其单向导电性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 半导体二极管实物图片 半导体二极管实物图片 半导体二极管实物图片 二. 伏安特性 三. 主要参数 四. 应用: 3. 主要参数 1.4 半导体三极管 一. 基本结构 （1）按导电类型分 分为NPN 型和PNP型。硅三极管多为NPN型， 锗三极管多为PNP型。 （2）按材料分 硅三极管和锗三极管。 （3）按用途分 依工作频率：f ＞3MHz为高频； f ＜3MHz为低频 。 依工作功率：P ＞1W为大功率； P ＜0.5 W为小功率； P 在0.5～1W为中功率。 二. 电流放大原理 1. 三极管处于放大状态的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三. 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四. 主要参数： 1. 电流放大系数，? 五. 半导体三极管应用 第1章 基本要求 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 通常定义为静态(直流)电流放大倍数。 称为动态(交流)电流放大倍数。 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极放大电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 工作在放大状态时发射结压降： 硅管： UBE ? 0.6~0.7V 锗管： UBE ? 0.2 ~ 0.3V IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区： IC mA UCE IB EC V + – – + IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB = 0 以下区域为截止区，有 IC= ICEO ? 0 。 在截止区，发射结处于反向偏置(或正向偏置死区电压)， 集电结处于反向偏置。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，IB增加IC不再增加，IC ≠?IB ， 发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数， 晶体管的参数是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间