06章-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体解决方案.pptVIP

GaN应用前景 对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是目前器件水平已可实用化。 　1994年日本日亚化学所制成1200mcd的LED，1995又制成2cd蓝光(450nmLED)，绿光12cd(520nmLED证明这一材料研制工作取得相当成功，进入实用化阶段。 　　InGaN系合金的生成，InGaNAlGaN双异质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LD等相继开发成功。InGaN　SQW　LED6cd高亮度纯绿色、2cd高亮度蓝色LED已制作出来，今后，与AlInGaP、AlGaAs系红色LED组合形成高亮度全色显示就可实现。这样三原色混成的白光光源也打开新的应用领域。高可靠、长寿命LED为特征的时代就会到来。日光灯和电灯泡都将会被LED所替代。 为节约能源，日前欧盟已开始执行全面停用白炽灯的政策。 目前LED专利核心基本被德国欧司朗(Osram)公司 、日本日亚化学所有 为什么高亮度LED如此受重视?这是因为LED光电转换效率高，亮灭响应速度快，因而大大降低电力消耗，一般情况下，钨丝灯泡发光效率为20 lm/W（光通量 /电功率），萤光灯为60~80 lm/W，而蓝光LED为120 lm/W，是灯泡电力消耗的1/6，萤光灯的1/2。 　　城市中商店，公司，机关，办公室，街道，娱乐场所，道路等照明用电量约占整个电力消耗的20%