6.场效应管识别与测量解决方案.ppt

漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。 JFET 工作原理： 　　综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 NJFET 输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS – VGS(off) 3、　结型场效应管特性曲线伏安特性曲线 线性电阻： ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 饱和区(放大区) 特点： ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 数学模型： 条件： VGS