数字电子线路21～2.2.pptVIP

●TTL电路的致命缺点是：功耗大，只能制造SSI，MSI，而无法制作LSI和VLSI。 ★CMOS电路的突出优点是：功耗极低，非常适合制作VLSI。随着其工艺不断进步，无论在工作速度还是驱动能力上，都已不比TTL逊色。 ★CMOS已经取代TTL，成为IC的主导技术 ●不过现有的旧设备中，有的仍在用TTL，因此了解TTL的某些知识仍有必要。 ▲数字电路中，无论是对元、器件参数精度的要求，还是对供电电源稳定度的要求，都比模拟电路要低一些。 ▲而提高数字电路的运算精度，可以通过增加数字信号的位数达到。 理想二极管在加正压导通，加负压截止。 可作为理想开关使用。 实际PN结电荷有建立、存储和消散过程。 数字电路中，二、三极管等器件的开关特性，实质是其导通和截止之间的转化问题 当脉冲信号频率很高时，开关状态转化速度非常快，百万次/秒，这就要求器件的导通和截止状态转换要在ns数量级的时间内完成 那么，是什么在影响（阻止）器件状态转换？怎样才能加快器件的转换速度？ 2.二极管开关的动态特性 MOS开关的动态特性 开关状态下，只有一种载流子参与导电，没有大量存储电荷问题，影响开关速度、频率的主要是栅源电容、漏极电容、负载电容等 MOS管导通电阻大于TTL饱和导通电阻，而且RD大于RC，因此MOS管对电容充放电时间长一些，即：MOS管开关速度小于TTL 二、双极型三极管的输入特性和输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 输入特性曲线 输出特性曲线 开启电压 饱和区 截止区 放大区 三、双极型三极管的基本开关电路 　　在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。 三极管临界饱和 时的基极电流： ①ui=1V时，三极管导通，基极电流： uo=uCE=VCC-iCRc=5-0.03×50×1=3.5V 对应下图，分别求出ui分别为1V，0.3V，3V时的uo值 IBS，未饱和 ②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在 截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： uo=VCC=5V 截止状态 ui=UIL0.5V uo=+VCC +VCC ＋ － Rb Rc b c e ＋ － ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： uo＝UCES＝0.3V 饱和状态 iB≥IBS ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V IBS，饱和 TTL开关等效电路 开关等效电路 (1) 截止状态 条件：发射结反偏 特点：电流约为0 (2)饱和状态 条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅 　三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时 ui t uo t +Vcc 0.3V TTL动态开关特性 BJT的开关时间：是指BJT管由截止到饱和导通 或者由饱和导通到截止所需要的时间。 延迟时间td—从+VB2加到集电极电流ic上升到0.1ICS所需要的时间； 上升时间tr—ic从0.1ICS到0.9ICS所需要的时间； 开通时间ton=td+tr 就是建立基区电荷时间 存储时间ts—从输入信号降到-VB1到ic降到0.9ICS 所需要的时间； 下降时间tf—ic从0.9ICS降到0.1ICS所需要的时间。 关闭时间toff=ts+tf就是存储电荷消散的时间 2 MOS管的开关特性 CMOS-IC中，以MOS管作为开关器件 一、MOS管的结构和工作原理 P N N G S D 金属铝 两个N区 SiO2绝缘层 P型衬底 导电沟道 G S D N沟道增强型 源极 栅极 漏极 vGS=0时 P N N G S D vGS vDS iD=0 D、S间相当于两个背靠背的PN结 S D B 不论D、S间有无电压,均无法导通\导电 P N N G S D VDS VGS vGS0时 vGSVGS(th)后形成电场G—B,把衬底中的电子吸引到上表面，除复合外，剩余电子在上表面形成N型层（反型层）为D、S间的导通提供了通道。 VGS(th)称为阈值电压(开启电压） 源极与衬底接在一起 N沟道 vGS增大，iD增大 二、MOS管的输入、输出特性 栅极电流为零，无输入特性 输出特性曲线 （漏极特性曲线） 夹断区（截止区） 用途：断开状态的电子开关。 特点: D-S间电阻ROFF达千M欧以上 可变电阻区 特点:(1)当vGS 为定值,iD 是 vDS 的线性函数，管子