MOSFETIRF6602.doc

MOSFETIRF6602 International Rectifier 专用的MOSFET 理想的CPU核心DC-DC转换器 低传导损耗 低转换损耗 薄型 双面冷却兼容 兼容现有的表面贴装技术 描述 该IRF6602结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM包装实现最低的通态电阻的电荷产物在一个包具有一个SO-8和只有0.7毫米的足迹个人资料。 DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装兼容机设备和汽相，红外线或对流焊接技术。 DirectFET封装允许双面冷却最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。 该IRF6602平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC-DC转换器，电源最新一代的在较高频率下操作的处理器。该IRF6602进行了优化参数在同步降压转换器，包括RDS和栅极电荷的关键，以尽量减少在控制FET插座的损失。 绝对最大额定值 参数 最大值 单位 VDS 漏源电压 20 V ID@TC 25℃ 连续漏电流, VGS@4.5v 11 A ID@TC 70℃ 连续漏电流, VGS@4.5v 8.8 IDM 漏电流脉冲 88 PD@TC 25℃ 功耗 2.3 W PD@TC 70℃ 功耗 1.5 线性降额因子 18 MW/℃ VGS 栅极-源极电压 ±20 V TJ.TSTG 结温和存储温度范围 -55～+150 ℃ 热阻 符号 参数 典型值 最大值 单位 RJA 结到环境 —— 55 ℃/W RJA 结到环境 12.5 —— RJA 结到环境 20 —— RJC 结到外壳 3.0 —— RJ-PCB 结到PCB安装 1.0 —— 静态@TJ 25℃ 除非其他说明 参数 最小值 典型值 最大值 单位 条件 V BR DSS 漏源击穿电压 20 —— —— V VGS 0V, ID 250μA V BR DSS/TJ 击穿电压温度.系数 —— 0.022 —— V/℃ Reference to25°C, ID 1mA RDS ON 静态漏源 —— 10 13 VGS 10V, ID 11A —— 14 19 VGS 4.5V, ID 8.8A VGS th 栅极阈值电压 1.0 —— 3.0 V VDS VGS, ID 250μA IDSS 漏电流源 —— —— 20 VDS 16V.VGS 0V VDS 16V.VGS 0V.TJ 125℃ —— —— 125 IGSS 门极到源极前向漏电流 —— —— 200 nA VGS 20V 门极到源极反向漏电流 —— —— -200 VGS -20V 动态@TJ 25℃ 除非其他说明 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 条件 gfs 正向跨导 20 —— —— S VDS 10V, ID 8.8A Qg 总栅极电荷控制场效应管 —— 13 20 nC VGS 5.0V, VDS 10V, ID 8.8A Qg 同步FET的栅极电荷 —— 11 —— VGS 5.0V, VDS 100mV Qgs1 前五栅源电荷 —— 3.5 —— nC VDS 16V, ID 8.8A Qgs2 后五栅源电荷 —— 1.3 —— Qgd 门寄到漏极电荷 —— 4.8 —— Qsw 开关电荷 —— 6.1 —— Qoss 输出电荷 —— 19 —— VDS 16V, VGS 0V td on 延迟时间 —— 11 —— ns VDD 15V ID 8.8A RG 1.8 VGS 4.5V tr 上升时间 —— 58 —— Td off 关断延迟时间 —— 15 —— tf 下降时间 —— 5.5 —— Ciss 输入电容 —— 1420 —— pF VGS 0V VDS 10V ? 1.0MHz Coss 输出电容 —— 960 —— Crss 反向转移电荷 —— 100 —— 击穿特性 符号 参数 典型值 最大值 单位 EAS 单脉冲击穿能量 —— 97 mJ IAR 击穿电流 —— 8.8 A 二极管特性 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 条件 IS 连续源电流 —— —— 11 A p-n结二极管 ISM 脉冲源电流 —— —— 88 VSD 二极管正向电压 —— 0.83 1.2 V TJ 25°C, IS 8.8A, VGS 0V —— 0.