元器件降额标准(参考).docVIP

元器件降额准则（参考件） 元器件种类 降额参数 降额等级 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 集成电路 模拟电路 放大器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.60 0.70 0.70 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 比较器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 电 压调整器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出输入电压差 0.70 0.80 0.85 输出电流 0.70 0.75 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 模拟开关 电源电压 0.70 0.80 0.85 输入电压 0.80 0.85 0.90 输出电流 0.75 0.80 0.85 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温（℃） 80 95 105 数字电路 双极型 电路 频率 0.80 0.90 0.90 输出电流 0.80 0.90 0.90 最高结温（℃） 85 100 115 MOS型电路 电源电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.80 0.90 0.90 功率 0.80 0.80 0.90 最高结温（℃） 85 100 115 混和集成电路 厚模集成电路（W/cm2） 7.5 薄模集成电路（W/cm2） 6.5 最高结温（℃） 85 100 115 大规模集成电路 最高结温（℃） 改进散热方式降低结温 分离半导体器件 晶体管 方向 电压 一般晶体管 0.60 0.70 0.80 功率MOSFET的栅源电压 0.50 0.60 0.70 电流 0.60 0.70 0.80 功率 0.50 0.65 0.75 功率管安全工作区 集电极－发射极电压 0.70 0.80 0.90 集电极最大允许电流 0.60 0.70 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 微波晶体管 最高结温 同晶体管 二极管（基准管除外） 电压（不适用于稳压管） 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 功率 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 微波二极管 最高结温 同二极管 基准二极管 可控硅/半导体光电器件 电压 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm（℃） 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm-65 Tjm-40 Tjm-20 固定电阻器 合成型电阻器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 薄膜型电阻器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 电阻网络 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 线绕电阻 电压 0.75 0.75 0.75 功率 精密型 0.25 0.45 0.60 功率型 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 电位器 非线绕电位器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 合成、薄膜微调 0.30 0.45 0.60 精密塑料型 不采用 0.50 0.50 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 线绕电位器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 普通型 0.30 0.45 0.50 非密封功率型 － － 0.70 微调线绕型 0.30 0.45 0.50 环境温度 按元件负荷特性曲线降额 热敏电阻器 功率 0.50 0.50 0.50 最高环境温度（℃） TAM-15 T