直接带隙锗的张应变.docVIP

一、直接带隙锗的张应变 摘要：我们提出在InGaAs/ GaAs缓冲层上生长2.3％双向张应变Ge层。低温下的光致发光现象显示当Ge的张应变 2％时会产生一个显著的变化，由此确认了Ge层直接带隙的存在。 介绍 已经使用在现代硅场效应管的锗 Ge ,由于其直接带隙性质及与硅CMOS的兼容性受到了光电子学的青睐。基于直接带隙的吸收实验表明，给Si衬底激光器和光放大器掺入增益介质是可能的。Fischetti和Laux提出锗在双向张应变约2%时会变成直接带隙材料,这将使大量光子得到应用。Liu等人，利用Ge和Si之间扩散系数的不同实现0.3％的锗层张应变，并且观察到高浓度n型掺杂样品的光致发光现象。Bai 等人通过有机—-金属化学汽相淀积的方法在InGaAs缓冲层上生长张应变Ge层并实现了1.37%的应变。当尝试更高的应变时产生了锗量子点。本文报告了我们在低温下通过分子束外延（MBE）技术和该结构强烈的光致发光（PL）光谱对生长在InGaAs缓冲层的张应变锗的尝试。 样品制备 这个结构用于实现在半绝缘性GaAs晶片（100）晶面上生长张应变Ge。首先， 阶梯中的一些层，比如生长在III-V族分子束外延系统中晶格松弛的InGaAs缓冲层，提供了一个很大的晶格常数模板。通过高温退火操作使得生长的每个InGaAs层线性位错密度被降低了。然后,晶片从超高真空环境下被转移到第四族MBE室，此