半导体物理学期中考试试卷.docVIP

《半导体物理学》期中试卷 一、填空题 1、半导体中有 和 两种载流子，而金属中只有 一种载流子。 根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E的一个量子态，被一个电子占据的概率，表达式为 。 半导体与导体最大的差别 ，半导体与绝缘体最大差别 。 杂质和 杂质；通常小的杂质原子容易形成 杂质，而具有与本体材料类似电子结构的杂质原子容易形成 杂质； 6、施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ，在材料中形成 电中心。 7、半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 和 。前者在下起 主要作用，后者在 下起主要作用。 8、掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由 和 决定。 与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。 砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。 4、在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为小于50%。 费米分布函数适用于简并的电子系统，耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。 将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。 三、选择题 1、下面说法正确的是 。 A、空穴是一种真实存在的微观粒子； B、若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定为本征半导体 C、稳态和平衡态含义是一样的；D、同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高。 2、如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为 。 A、受主 B、 两性杂质 C、施主 3、对于一定的n型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会 。 A、 上移 B、下移 C、 不变 4、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是 。 A、变大，变小 ；B、变小，变大；C、变小，变小； D、变大，变大。 5、导带底的电子是 。 A、带正电的有效质量为正的粒子；B、带正电的有效质量为负的准粒子； 带负电的有效质量为正的粒子；D、 带负电的有效质量为负的准粒子。 简答题 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质，施主杂质电离过程和n型半导体？ 何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 理想半导体和实际半导体的区别？ 计算题 计算掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为，，且认为不随掺杂而变化。已知，本征载流子浓度，硅的原子密度为，，，。 试计算本征硅的电阻率。 当在本征硅中掺入百万分之一的砷（As）后，设杂质全部电离，试计算电子浓度和空穴浓度。 画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于的位置。试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。 第4页（共4页）