(一和二)章模拟子技术基础测试题一.docVIP

《模拟电子技术基础》测试题一 姓名：_________学号：_________成绩：_________ 一、填空题（40分） 1、PN结具有________特性，即当电源________接P区，________接N区时，称为PN结加正向电压或正向偏置；当电源正极接N区，负极接P区时，称为PN结加________或________。 2、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。 3、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。 4、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏。 5、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。 6、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。 7、输入电压为20mV，输出电压