《微机原理课件》第三章.pptVIP

微机原理及应用 第三章 存 储 器 第一节 存储器的分类 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 一、RAM分类 二、ROM分类 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 三、半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计