20101031铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池器件制备与表征教程解决方案.pptVIP

铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池器件制备与表征 张坤 2010-10-31 内容提要 一、CIS器件的简单介绍 二、CIS的制备与结果讨论 三、下一阶段工作计划 CIGS薄膜太阳电池的研究进展 一、 CIS器件的简单介绍-CIS器件的结构 除玻璃或其它柔性衬底外，还包括 Mo 背电极层、CIS 吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO和 ZnO:Al 窗口层、MgF2 减反射层以及顶电极Ni-Al层等七层薄膜。 其中p型CIGS和n型CdS及高阻n型ZnO形成 p-n 异质结是 CIGS 薄膜太阳电池的核心层。 p n 吸收层CIS（电化学沉积） 一、 CIS器件的简单介绍- CIS器件的制备流程 电化学沉积 直流磁控溅射 化学浴沉积 直流溅射 射频溅射 导电凝胶 器件制备： 操作步骤： 1 在清洗干净的玻璃片上直流溅射镀1um左右Mo，如果条件，可对其进行退火； 2 在Mo上电沉积法沉积1um左右CIS，并对CIS进行500℃退火，退火后将CIS刻蚀； 3 在刻蚀后的CIS上化学水浴法镀50nmCdS； 4 在CdS上射频溅射镀50nm厚i-ZnO； 5 在i-ZnO上镀500nmZAO，ZAO面积应小于i-ZnO； 6在器件表面涂导电凝胶，以引出电流。 二、 CIS器件的制备与结果讨论——Mo的制备 作用： 能与CIGS形成良好的欧姆接触,导电性能优越(低电阻) ； 和玻璃衬底具有良好的粘附性； 高度的光学反射性质； 制备方法：直流磁控溅射 影响因素： a 压强—随压强升高，薄膜电阻率上升，粘附性变好。 b 功率—随功率增大，电阻率下降。 吸收层CIS（电化学沉积） 器件要求：膜厚0.5～2um，粘附性良好，方阻控制在0.xΩ/□。 实验结果：厚度约为2um，粘附性较差，部分有起皮现象，方阻均在10以下。 改进方法：摸索双层Mo工艺，即可降低方阻，又可增加其粘附性。 给基底一定退火温度，以降低方阻。 后续实验主要目标：在保证电阻率低的同时，增加其粘附性。 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——Mo的制备 作用：核心部分，构成P-N结，吸收阳光，产生光电流。 制备方法：电化学沉积法 器件要求：P型材料、形貌均匀、刻蚀前富铜而刻蚀后于理论计量比相近 富铜：增大晶粒尺寸，改善结晶性能； 吸收层表面有富铜相具有良好的导电性，如不除去，则会造成电池短路。 电沉积制备CIS——退火——氰化物刻蚀 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——CIS的制备 刻蚀前整个平面：Cu/In/Se =1.287:1.00:2.93 刻蚀后平面：Cu/In/Se =1.08:1.00:2.59 1 表面形貌较差 2 得到了富铜相 3 刻蚀有效果？ 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——CIS的制备 富铜相 刻蚀前打点：Cu/In/Se =2.16:1.00:4.61 刻蚀后打点：Cu/In/Se =1.00:1.00:2.20 刻蚀刻有效除去富铜相，同时对形貌并没有太大的影响。 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——CIS的制备 作用：a 降低窗口层与吸收层的异质结界面失配； 1.x eV-2.5 eV-3.3 eV b 减少后续工序对吸收层的损害； c 构成PN结。 制备方法：化学水浴沉积 器件要求：膜厚50nm左右，可见光平均透过率85%以上，电阻率104Ω·cm，载流子浓度1016 cm-3。 实验结果：厚度80nm左右，且不太均匀；可见光透过率85%左右，光谱扫至500nm时，透过率骤降；n型半导体，电阻率104—106Ω·cm。 改进方法： 制备更好的反应器，沉积出均匀光亮的CdS薄膜； 做退火处理，可以有效改善薄膜光学性质和降低电阻率； 利用苏博离子吸附设备沉积CdS。 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——CdS的制备 作用：窗口效应减少了电子空穴对在表面复合所造成的光能的损失，能有效地收集太阳光。 i-ZnO 高阻 构成P-N结 制备方法：射频磁控溅射 器件要求：膜厚50nm，可见光透过率90%以上，电阻率104Ω·cm 实验结果：膜厚50nm左右；可见光透过率90%以上，电阻率104—106Ω·cm 吸收层CIS（电化学沉积） 二、 CIS器件的制备与结果讨论——i-ZnO的制备 ZnO:Al 低阻 透明导电 制备方法：直流磁控溅射 吸收层CI