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1500T还原电气维护手册 还原电气基础知识 1500T还原电气构架 1500T还原电气常见故障排除 一、还原电气基础知识 1. 工艺概述 目前，多晶硅生产技术主要有改良西门子法、硅烷法和流化床法等几种。改良西门子法由于其技术成熟、适合产业化生产等特点，是目前业界普遍采用的首选工艺。改良西门子法采用氢还原三氯氢硅的方式生产多晶硅多晶硅的制备是在一个专门的倒钟罩形CVD(Chemical vapor deposition，化学气相沉积反应器中进行的。CVD反应器如右图所示。沉积生产硅需要通过下面几个步骤完成： 在还原炉底盘的电极上装上硅芯，每两根硅芯顶部用短硅芯搭接，使之成为导电回路。 启动炉内硅芯后，倒入低压运行，向炉内通入配比好的SiHCl3和H2组成的混合气体。 调整电流，控制反应温度在1080-1100度。 SiHCl3氢化还原反应的主要方程式为： SiHCl3 ＋ H2 Si + 3HCl 产生的Si便在硅芯表面沉积。 同时，伴随硅晶体的化学气相沉积还有其他副反应。在保证工艺基础的条件下，严格控制反应温度才能保证主反应，抑制副反应。 多晶硅的制备的化学反应是在硅芯表面进行的，随着反应时间的增加，直径φ8mmφ10mm的硅芯开始，最终可到 φ150-200mm的硅棒，当硅棒直径长到规定要求时，即可终止反应。 2. 硅棒负载描述 生产多晶硅CVD反应炉在生产方式上分为9对棒、12对棒、18对棒、24对棒， 12对棒多晶硅还原炉图1-2（a）为12对棒多晶硅还原炉内的硅棒组合，4对硅棒组成一组，共分3组；同心圆表示硅棒的安装位置；粗实线表示横梁；虚线表示炉底的电极短接线。图1-2（）3．常温下，多晶硅是一种高电阻率的物质。当其作为负载的时候，必须在较高温度或者高电压环境下才能导通电流，我们把多晶硅硅芯由不导电变化到导电的这一过程叫做启动硅芯。 目前启动多晶硅主要有辅助电源加热启动和高压击穿硅芯启动两种方式。 ◆辅助电源加热启动 常用的辅助电源加热启动有：石墨加热、等离子加热、卤素灯加热……等外加热方式，将还原炉炉温加热至300℃左右，还原电源输入中压，使硅芯导通，完成启动过程，然后继续加热进行化学气相沉积，完成还原生长。 ◆高压击穿硅芯启动 笼统地分析高压击穿硅芯启动的原理如下：在强电压环境下，由于雪崩击穿和齐纳击穿两种效应，硅晶体内部的载流子会急剧增加，从而形成导电的电流，随着已经完成前述击穿的硅晶体电流继续增加，硅晶体的电阻率会急剧下降，最终完全过渡到热击穿，这时就可以由电压相对较低的电源完成硅晶体的化学气相沉积。高压击穿的电压电流变化趋势如右图所示。 高压击穿启动是让硅芯自身发热，硅芯发热内外上下均匀一致，启动时间短，效率高，高压启动的装炉工艺相对简单。对于高电阻率的多晶硅生产，高压击穿启动硅芯是目前最优的选择。4.多晶硅还原电源简介 多晶硅的还原生产是一个高耗能的过程，还原生产的电能成本是所有成本中比重最大的一块，因此，降低电源谐波畸变率THD、提高功率因数对于控制生产成本具有非常重要的现实意义。 多晶硅在还原生长过程中，随着硅棒表面的晶体在不断沉积生长，硅棒形状结构始终是动态变化的，硅棒负载的电阻值也在动态变化，同时，炉内要求满足足够的反应温度，炉内要求的功率将不断增加。因此，多晶硅的还原生长提出了宽电压范围、大功率的电源要求。如图1-5所示，改图反映了硅棒还原生长过程中需要的电源的理论I/V曲线。 图1-5 还原电源的理论I/V曲线 ，多晶硅还原电源有几种解决方案： ◆ 方案多抽头变压器 + 开关器件换挡 + 晶闸管移相 电气结构： 输出波形： 输出波形的特点描述： 1） 抽头固定换挡倒级； 2） SCR移相调压，控制简单； 3） 某些时间段功率因数很低，效率不高； 4） 变压器抽头多，开关器件多，功率回路的电气结构复杂； 5） SCR要同时满足高电压和大电流的条件。 ◆ 方案多抽头变压器 + 晶闸管移相 + 动态谐波补偿 电气结构： 电气结构输出波形： 输出波形的特点描述： 1） 抽头固定换挡倒级； 2） SCR移相调压，控制简单； 3） 电压较高时，动态补偿的难度较大，一般在最高电压时均未做补偿，导致该功率段的功率因数可能很低； 4） 动态补偿的效果对动态补偿算法提出较高要求； 5） 系统电气结果复杂，增加了维护难度。 ◆ 多抽头晶闸管移相 电气结构： 电气结构输出波形： 输出波形的特点描述： 1） 高功率因数； 2） 低谐波，高效率； 3） 电气结构相对简单，便于维护4） SCR电压叠层控制算法复杂，系统控制逻辑复杂； 5） 自动化程度高，不需要做动态谐波补偿。