soc工艺ch5扩散技术总结.pptVIP

扩散的基本概念 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。 扩散目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 本章主要内容 5.1扩散机构 5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 5.3杂质的扩散掺杂 5.4热扩散工艺中影响杂质分布的其它因素 5.5扩散工艺条件与方法 5.6 扩散工艺质量与检测 5.7 扩散工艺的发展 5.1扩散机构 扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 杂质在半导体中的扩散是由杂质浓度梯度或温度梯度（物体中两相的化学势不相等）引起的一种使杂质浓度趋于均匀的杂质定向运动。 扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质的定向迁移。 扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 填隙式扩散 替位式扩散 填隙—替位式扩散 5.1.3填隙——替位式扩散 许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。 这类扩散杂质的跳跃率随空位和自填隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。 大多数过渡元素，如Au，Fe，Cu，Pt，Ni，Ag等，都以填隙——替位式方式扩散，最终位于间隙和替位两种位置上。位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。 5.1.3填隙——替位式扩散 5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 固体中的扩散基本特点 （1）固体中明显的质点扩散常开始于较高的温度，但实际上又往往低于固体的熔点。 （2）晶体结构将以一定的对称性和周期性限制着质点每一步迁移的方向和自由行程。 5.2.2 扩散方程 Fick第一扩散定律 在单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积上的扩散物质流量为扩散通量（Diffusion flux），用J表示。 扩散通量其与该截面处的浓度梯度成正比。 比例系数D定义为扩散系数(m2/s)； C为扩散物质的体积浓度（atoms/m3或kg/m3）； -表示扩散方向为浓度梯度的反方向，即由高浓度向低浓度扩散。 菲克第二定律 当扩散处于非稳态，即各点的浓度随时间而改变时，利用第一定律不容易求出。 通常的扩散过程大都是非稳态扩散，为便于求出，还要从物质的平衡关系着手，建立第二个微分方程式。 讨论晶体中杂质浓度与扩散时间的关系，又称Fick第二定律。 菲克第二定律 假设一段具有均匀横截面A的长方条材料，考虑其中长度为dx的一小段体积，则流入、流出该段体积的流量差 在距离x处，杂质浓度随扩散时间t的变化率等于扩散通量随距离变化的负值(根据物质守恒定律，浓度随时间的变化等于扩散通量的减小。) 如果扩散系数D与浓度无关， 则由Fick第一定律可得 5.2.3 扩散系数 D0为表观扩散系数 Ea为扩散激活能 5.2.3 扩散系数 一些杂质在硅〈111〉面中的扩散系数 5.3杂质的扩散掺杂 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度以及掺杂类型。 两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散 扩散工艺重要的工艺参数包括： ①杂质的分布 ②表面浓度 ③结深 ④掺入杂质总量 5.3.1恒定表面源扩散 恒定表面源扩散指在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度Cs始终是保持不变的，将硅片处在恒定浓度的杂质氛围中。 解一维扩散方程： 初始条件为：C(x，0)=0，t=0 边界条件为：C(0，t)=Cs，x=0 C(∞，t)= 0， x= ∞ 恒定表面源扩散杂质分布情况 5.3.1恒定表面源扩散 （4）恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布，延长扩散时间： ①表面杂质浓度不变； ②结深增加； ③扩入杂质总量增加； ④杂质浓度梯度减小。 5.3.2有限表面源扩散 指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层δ内， Q为单位面积杂质总量，解扩散方程： 初始条件： C(x,0)=Q/δ, t=0, 0xδ C(x,0)=0, t=0, xδ 边界条件：C(∞,t)=0 有限表面源扩散杂质分布情况 5.3.2有限表面源扩散 有限源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。 延长扩散时间(提高扩散温度T )： ①杂质表面浓度迅速减小；②杂质总量不变； ③结深增加； ④杂质浓度梯度减小。 5.3.2有限表面