杨德仁-铸造多晶硅的缺陷概要.ppt

Flux of oxygen 磷吸杂 铸造多晶硅的缺陷 杨 德 仁 浙江大学硅材料国家重点实验室 Muticrystalline Silicon 杂质 缺陷 间隙氧 替位碳 过渡金属杂质（Fe、Cu、Ni、Cr） 微缺陷 位错 晶界 影响电池效率!!! 硅晶体的杂质和缺陷 氧在硅熔体中的传递示意图 Raw materials Quartz crucibles 硅晶体中的氧 Solar Energy Material and Solar Cells, Vol.62, 37(2000). Oxygen clusters Solid State Phenomena, Vol. 82, 2002, P.707-712 Experimental Oi profile in growth direction and simulated Oi profile according to Pfann’s law (segregation coefficient 1.25). Diffusion from melt to surface （CL、CS is oxygen concentration in melt and solid near interface, respectively） Reaction in the surface of mel