第九章 磁敏传感器
9.1 霍尔传感器 9.2 磁敏电阻 9.3 结型磁敏管 9.1 霍尔传感器磁场 电压UH 9.1.1 霍尔效应 当把一块金属或半导体簿片垂直放在磁感应强度为B的 磁场中,沿着垂直于磁场的方向通以电流I,就会在薄片 的另一对侧面间产生电动势UH,如图9-1所示。这种现象 称为霍尔效应,所产生的电动势称为霍尔电动势,这种薄 片(一般为半导体)称为霍尔片或霍尔元件。 9.1 霍尔传感器 9.1 霍尔传感器 从式(9-3)知,霍尔电压UH与载流子的运动速度v有关, 即与载流子的迁移率?有关。由于?= v/El(El为电流方向上 的电场强度),材料的电阻?=1/ne?,所以霍尔系数RH与载 流体材料的电阻率?和载流子的迁移率?的关系为 RH=?? (9-6) ?金属导体:?大,但?小(n大); ?绝缘体:?大(n小),但?小; 它们都不宜作霍尔元件(RH太小)。 ?半导体:?、?适中—适宜作霍尔元件。 9.1 霍尔传感器 霍尔电压UH还与元件的几何尺寸有关: KH=1/ned 厚度d越小越好,一般d=0.01mm; 宽度b加大,或长宽比(l/b)减小时,将
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