实验报告:
:实验一硅光电池、实验二光敏电阻(9.2、9.9)
实验三金属箔式应变片性能一单臂电桥、实验四金属箔式应变片单臂、
半桥、全桥比较(9.16、 9.23)
:实验七变面积式电容传感器的静态及动态特性(9.30)
:实验五移相器实验、实验六相敏检波器实验(10.14、10.15)
:实验八差动变压器(互感式)性能测试(10.21)
:实验十电涡流式传感器的静态标定(10.28)
第七次:实验十一热电偶原理及分度表的应用(11.4)
第八次:实验十二霍尔式位移传感器的直流激励特性(11.11)
第九次:实验十四压电传感器的动态响应实验(11.18)
第十次:实验十五半导体扩散硅压阻式压力传感器实验(11.25)
第十一次:实验十六光纤位移传感器静态实验(12.2、12.9)
实验一 硅光电池
实验目的:了解硅光电池的原理结构、性能。
实验原理:在光照作用下,由于元件内部产生的势垒作用,在结合部使光激发的电子-空穴分离,电子与空穴分别向相反方向移动而产生电势的现象,称为光伏效应。硅光电池就是利用这一效应制成的光电探测器件。
所需单元及元件:硅光电池、直流稳压电源、数字电压表。
实验步骤:
(1)按图43接线
图 43
(2)电压表置2V
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