处于本征区 或 (3)强电离区 (杂质浓度远大于本征载流子浓度) 温度较高,杂质全部电离 (4)过渡区 (杂质浓度与本征载流子浓度相当) (5)高温本征区(本征载流子远大于杂质浓度) 弱电离区 中间电离区 强电离区 过渡区 本征区 (6)P型半导体 电中性条件 当温度升高,费米能级由施主能级逐渐向禁带中线靠近。从杂质电离过渡到本征激发。 由温度和杂质类型、浓度决定 1. 杂质浓度一定 杂质的类型决定了 的大概位置 n型: p型: 当温度升高,费米能级由受主能级逐渐向禁带中线靠近。从杂质电离过渡到本征激发。 本征 强n型 弱n型 强P型 弱P型 从强P型半导体到强N型半导体,费米能级从受主能级逐渐向施主能级靠近 2. 温度一定 随着浓度 增加, 由 向 靠近。 型: 型: 随着浓度 增加, 由 向 靠近。 §8.4 杂质半导体的载流子浓度 导带中的能级——能级准连续分布,每个状态 上可以容纳两个自旋相反的电子 导带中的电子态数 电子态的占据几率 导带电子浓度 施主能级的电子态数 1. 施主能级上的电子浓度 电子态的占据几率 施主能级电子浓度 电子占据杂质能级的几率 一、杂质能级上的电子和空穴 施主能级——能级孤立且简并,每个能级上 只有一个状态,能容纳一个电子。 施主能级上的电子浓度 电离施主浓度 (施主杂
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