2011半导体物理A卷new.docVIP

一、论述题（60分） 1（6分）、 什么是晶体？描述硅的晶格结构特点。 2（6分）、 某晶体平均原子间距是4A，试估算该晶体的体原子密度和面原子密度。 3（6分）、 在费米统计下，T=0K时，低于费米能级的量子态被电子占据几率为？T 0K时，能量比费米能级低5k0T的量子态被电子占据的几率为？ 4（6分）、禁带宽度与温度有什么关系？重掺杂半导体能带结构有什么特点？ 5（3分）、什么是直接禁带半导体？ 6（6分）、描述载流子迁移率对载流子浓度和温度的依赖关系，并据此讨论电阻率与温度的关系。 7（3分）、 试论述俄歇复合过程。 8（3分）、什么是载流子的扩散运动？ 9（6分）、自由空间一维势垒隧穿几率取决于哪些因素？ 10（9分）、简述肖特基二极管的主要导电机制，解释其与PN结二极管的异同？ 11（6分）、 如何形成良好的金属-半导体欧姆接触？其载流子是怎样传导的？ 二、计算题 下列计算中，已知物理常数：室温300K时，Eg=1.12eV，本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3；600K时ni= 6×1015cm-3；硅介电常数==1.054*10-12F/cm，电荷单位q=1.6*10-19C 1（6分）、一n型硅，其电子亲和力为4.05eV，Ec-EF = 0.2eV, a. 画出真空热电子发射能带示意图 b. 求室温下热电子发射的浓度。提示：Nc约等于1020/