实验2位错蚀坑的观察案例.pptVIP

实验二 位错蚀坑的观察 孙瑞雪 一、实验目的 1、初步掌握用侵蚀法观察位错的实验技术 2、学会计算位错密度 二、实验设备及材料 1、金相显微镜 2、单晶硅片 三、位错蚀坑的侵蚀原理 利用浸蚀技术显示晶体表面的位错，其原理是：由于位错附近的点阵畸变，原子处于较高的能量状态，再加上杂质原子在位错处的聚集，这里的腐蚀速率比基体更快一些，因此在适当的侵蚀条件下，会在位错的表面露头处，产生较深的腐蚀坑，借助金相显微镜可以观察晶体中位错的多少及其分布。 位错的蚀坑与一般夹杂物的蚀坑或者由于试样磨制不当产生的麻点有不同的形态，夹杂物的蚀坑或麻点呈不规则形态，而位错的蚀坑具有规则的外形，如三角形、正方形等规则的几何外形，且常呈有规律的分布，如很多位错在同一滑移面排列起来或者以其他形式分布；此外，在台阶、夹杂物等缺陷处形成的是平底蚀坑，也很容易地区别于位错露头处的尖底蚀坑。 四、实验步骤 1、位错坑的浸蚀： 常用的腐蚀剂有三种： ① Dash腐蚀液：HF∶HNO3∶CH3COOH=1∶2.5∶10； ②Wright腐蚀液：HF(60ml)+HAc(60ml)+H2O(30ml)+CrO3(30ml) +Cu(NO3)2(2g)； ③铬酸腐蚀液：CrO3(50g)+ H2O(100ml)+HF(80ml) 本实验采用铬酸法。按以下配比配制CrO3标准液： (1)标准液:HF(42%)=2:1（