电力电子器件之二演示文稿.pptVIP

*/32 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 输出特性： 描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 当UCE<0时，IGBT为反向阻断工作状态。 在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 四、 绝缘栅双极晶体管 */32 （2）动态特性 图2-25 IGBT的开关过程 开通过程： 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv tfv分为tfv1和tfv2两段。 关断过程： 关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi tfi分为tfi1和tfi2两段 由于引入了少子储存现象，因而 IGBT的开关速度要低于电力MOSFET。 四、 绝缘栅双极晶体管 */32 4、主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 四、 绝缘栅双极晶体管 */32 5、工作特点 ?开关速度高，开关损耗小。 ?在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。 ?通态压降比MOSFET低，特别是在电流较大的区域。 ?输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。 ?与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 四、 绝缘栅双极晶体管 */32 擎住效应： ?在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。 ?引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。 ?动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。 四、 绝缘栅双极晶体管 */32 安全工作区： ?正向偏置安全工作区（Forward Biased Safe Operating Area——FBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 ?反向偏置安全工作区（Reverse Biased Safe Operating Area——RBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。 四、 绝缘栅双极晶体管 第2讲 电力电子器件之二 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 */89 引言 ■门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。 ■20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。 ■典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 电力MOSFET IGBT单管及模块 一、门极可关断晶闸管-GTO 门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 并联单元结构断面示意图 电气图形符号 一、门极可关断晶闸管-GTO 1、结构 （1）与SCR相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、