实验4.2 高小信号调谐放大器.doc

实验4.2 高频小信号调谐放大器 一、实验目的 （1）掌握高频小信号调谐放大器基本单元电路的工作原理，进行性能分析。 （2）熟悉当谐振放大器处于谐振时，谐振回路的调试和各项技术指标的测试（电压放大倍数、通频带、矩形系数）。 （3）学会高频小信号调谐放大器的设计方法。 二、实验设备及材料 实验箱及实验箱配置的低频信号源、高频信号源，双踪示波器（MOS-620/640型），MAG-450（100 kHz—150 MHz）射频信号发生器，交流毫伏表，数字万用表，调试工具。 三、实验原理 高频小信号调谐放大器原理图如图4.2.1所示。电路为共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。它不仅要放大高频信号，而且还要有一定的选频作用。因此，晶体管的集电极负载为LC并联谐振回路。在高频情况下，晶体管本身的极间电容及连接导线的分布参数，会影响放大器输出信号的频率和相位。晶体管的静态工作点由电阻RB1、RB2及RE决定，计算方法与低频单管放大器相同。 1、晶体管高频小信号调谐放大器参数 晶体管高频小信号调谐放大器在高频情况下的等效电路如图4.2.2所示， 4个y参数yie，yoe，yfe及yre分别为 输入导纳： 　　　　　 ， （4-2-1） 输出导纳： 　　　　　 ， 　（4-2-2） 正向传输导纳： 　　　 ， 　　（4-2-3） 反向传输导纳： 　　　 ， （4-2-4） 式（4-2-1）至（4-2-4）中，gm——晶体管的跨导，与发射极电流的关系式为： 　　　 （4-2-5） gb’e——发射结电导，与晶体管的电流放大系数β及IE有关，关系式为 ， 　 （4-2-6） rb’b——基极体电阻，一般为几十欧姆； Cb’c——集电极电容，一般为几皮法； Cb’e——发射结电容，一般为几十皮法至几百皮法。 晶体管在高频情况下的分布参数，除了与静态工作电流IE、电流放大系数β有关外，还与工作频率ω有关。晶体管手册中给出的分布参数，一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在f0=30MHz，IE=2mA，UCE=8V条件下测得3DG6C的y参数为： 如果工作条件发生变化，上述参数有所变动。因此，高频电路设计一般采用工程估算的方法。 如图4.2.2所示的等效电路中，P1为晶体管的集电极接入系数，即 　 （4-2-7） 式（4-2-7）中，N2为电感L线圈的总匝数。P2为输出变压器T的副边与原边的匝数比，即 　　　 （4-2-8） 式（4-2-8）中，N3为副边（次级）的总匝数。 gL为调谐放大器输出负载的电导，gL=1/RL。通常小信号调谐放大器的下一级仍为晶体管调谐放大器，则gL将是下一级晶体管的输入导纳gie2。 由图4.2-2可见，并联谐振回路的总电导的表达式为 　 　 （4-2-9） 式（4-2-9）中，G为LC回路本身的损耗电导。谐振时L和C的并联回路呈纯阻，其阻值等于1/G，当并联谐振电抗为无限大时，jwC与1/（jwL）的影响可以忽略。 2、调谐放大器的性能指标及测量方法 表征高频小信号调谐放大器的主要性能指标有谐振频率f0，谐振电压放大倍数Av0，放大器的通频带BW及选择性（通常用矩形系数Kr0.1来表示）等。 放大器各项性能指标及测量方法如下： （1）谐振频率 放大器的调谐回路谐振时所对应的频率f0称为放大器的谐振频率，如图4.2.1所示电路（以下各项指标所对应电路）f0的表达式为 　　　 　 （4-2-10） 式（4-2-10）中，L为调谐回路电感线圈的电感量，为调谐回路的总电容，的表达式为 　 （4-2-11） 式（4-2-11）中， Coe为晶体管的输出电容；Cie为晶体管的输入电容。 谐振频率f0的测量方法：用扫频仪作为测量电路的幅频特性曲线