第8章薄膜与薄膜技术3范例.ppt

图中是40nm厚的NiSi2的电子能量损失谱，能量范围从0到138V，最高峰为等离子体激子振荡峰。在高能区有NiM23和SiL23芯能级激发峰，其强度分别被放大100倍和350倍。在EELS谱中分辨不出多重散射，表明在NiM边缘前的Ni低能损失区的背底，主要来自于等离子体激发峰的峰尾。 X射线吸收 X射线光电子谱和X射线吸收 谱都依赖于光电效应，它们 各自的实验装置示于图的上 部。在XPS中，束缚电子如 K壳层电子背激发出样品外， 成为自由电子。因尖锐峰出 现在光电谱中，光电子的动 能能较好定义。在X射线吸收 谱中，当束缚电子被激发到第 一未被占据能级时，就会出现 吸收边。 傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR) 拉曼光谱(RAMAN) 图中主要元件为激光源、光路系统、 分光系统、检测记录系统。激光源 种类较多，其中以氩激光器为最常用。 现已开发出紫外激光源等产生不同 频率光的激光源。 薄膜形成的基本过程 一.成核 1.物理(化学)吸附产生表面吸附原子; 2.表面热运动产生吸附原子聚集; 3.表面扩散运动导致成核发生. 二.生长 1.晶核的长大; 2.晶核的合并; 3.连续膜的形成. 成核的基本过程 成核是一个气(液)-固相变的过程,主要包括: 1.气相原子通过物理(化学)吸附转变为表面吸附原子; 2.表面吸附原子通过表面热运动产生原子聚集; 3.