硅酸钙陶瓷烧结工艺的研究 第四组20151103第四组.docVIP

硅酸钙陶瓷工艺的研究 （ 2012届 ） 题 目 硅酸钙陶瓷工艺的研究 学 院 物理与电子工程学院 专 业 材料物理 班 级 12材料物理 组 号 第四组 组 员 张强（组长） 徐坚 陈渭涛 杨允波 孙珅 刘超 陈英革 马超 易资培 指导教师 方一航 完成日期 2015年11月 硅酸钙陶瓷烧结工艺的研究 一、实验目的 1、了解陶瓷的工艺实验在生产中的作用与实际意义； 2、掌握陶瓷的主要工艺实验的原理、方法与一定的操作技能； 3、提高陶瓷工艺综合实验了解陶瓷产品的设计程序与工艺过程。 4、通过本次实验的探索，能摸清硅酸钙陶瓷的最佳烧结工艺，然后再改性他的性能 二、硅酸钙陶瓷改性实验过程 2.1 原料与设备 组号 硅酸钙 硼酸 1# 9.85 g 0.15g 2# 9.80g 0.20g 3# 9.75g 0.25g 4# 9.70g 0.30g 每组4个试样，每个试样分别对应3个温度，总计16个试样。 所需设备：滚动球磨机、小型液压成型机、烧结炉、阿基米德测试仪、电子天平。 2.2实验步骤 2.2.1在已制备好的硅酸钙粉体中加入不同含量的助溶剂（助溶剂含量分别为1.5wt%，2.0 wt%，2.5 wt%，3.0wt%），其混合粉体的总质量大约为2.5g。 2.2.2将混合好的原料，加入球磨罐中，并加入球料比为10:1的氧化锆磨球；其次将球磨罐置于滚动球磨机上，转速选择300r/min，球磨时间为2h；最后将球磨罐中的原料倒入研钵中研磨混匀10min，装袋进行压制成型。 2.2.3压制时，将粉体置于模具中，轻敲使粉体严实后加压，一般80MP（2.5吨）左右，保压30s，然后脱模获得形状完整的配块。 2.2.4烧结时，设定烧结炉参数：控制温度变量，设定分别为 起始温度 最高温度 保温时间 加热速率 加热时间 20℃ 750℃ 2h 5℃/min 146min 20℃ 800℃ 2h 5℃/min 156min 20℃ 850℃ 2h 5℃/min 166min 保温结束后，自动冷却至室温取出装袋。 2.2.5对烧结完成后的试样分别进行：密度测试，线收缩率，吸水率和陶瓷晶相的检测实验。并对实验结果进行记录与分析，从而得到实验结果，判定不同含量的助溶剂以及不同加热温度对陶瓷性能的影响。 三、实验数据记录与分析 3.1密度测试实验 烧结温度 编号 m吸水前（g） 体积（cm3） 密度（g/cm3） 750℃ 1 1.21 0.4788 2.52715 750℃ 2 1.637 0.7161 2.28599 750℃ 3 1.688 0.6725 2.51004 750℃ 4 1.472 0.621 2.37037 烧结温度 编号 m吸水前（g） 体积（cm3） 密度（g/cm3） 800℃ 1 0.994 0.393 2.52926 800℃ 2 1.174 0.467 2.51392 800℃ 3 1.58 0.627 2.51994 800℃ 4 1.632 0.673 2.42496 烧结温度 编号 m吸水前（g） 体积（cm3） 密度（g/cm3） 850℃ 1 1.033 0.42 2.45952 850℃ 2 1.562 0.67 2.33134 850℃ 3 1.813 0.75 2.41733 850℃ 4 1.571 0.64 2.45469 3.2线收缩率 烧结温度 编号 烧结后直径（mm） 原始直径 （mm） 线收缩率 750℃ 1 13.34 20 0.333 750℃ 2 13.20 20 0.340 750℃ 3 13.14 20 0.343 750℃ 4 12.94 20 0.353 烧结温度 编号 烧结后直径（mm） 原始直径 （mm） 线收缩率 800℃ 1 12.86 20 0.357 800℃ 2 13.34 20 0.333 800℃ 3 13.94 20 0.303 800℃ 4 12.90 20 0.355 烧结温度 编号 烧结后直径（mm） 原始直径 （mm） 线收缩率 850℃ 1 13.20 20 0.340 850℃ 2 12.80 20 0.360 850℃ 3 13.16 20 0.342 850℃ 4 12.90 20 0.355 3.3吸水率 烧结温度 编号 m吸水前（g） m吸水后（g） 吸水率 750℃ 1 1.210 1.255 0.0372 750℃ 2 1.637 1.742 0.0641 750℃ 3 1.688 1.756 0