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文献综述 研究背景 20世纪，固体电子学领域的一系列重大发现和发明，推动了信息电子产业的蓬勃发展，从而使人类社会开始了信息化的进程。可以预见，21世纪上半叶，人类社会的信息化将会进入高潮期，并且走向信息社会的更高级阶段驱动信息技术不断发展的动力是器件的超高速，高密度和小型化。介电材料介电常数的大幅提高，可以适应电子设备对高速电路的要求，并对电子产品的小型化和功能的扩大，计算机、电信工业的迅速发展，产生深远的影响。介电常数高于1000的钙钛矿化合物大部分总是伴随着铁电和弛豫行为，从而使介电常数敏感于温度的变化，导致器件的稳定性降低在实际应用中有局限性。现在研究较多的介电性能随温度变化比较稳定的材料包括有晶界层电容器材料和基于渗流理论效应采用导电相与绝缘相的复合材料。前者一般的制各工艺比较复杂，处理温度比较高。后者也需要采用2种以上材料进行复合，而且介电损耗会比较大。 最近文献报道了CaCu3Ti4O12 (简称ccro)具有反常的巨介电常数(104—105)和极低的损耗(约0．03)，特别是在很宽的温区范围内(100—400 K)介电常数值几乎不变，反映了介电响应的高热稳定性．”。这些良好的综合性能，使其有可能成为在商密度能量存储、薄膜器件(如MEMS，GB．DRAM)、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。可是，该类材料最大的反常还在于冷却到100 K以下介电常数发生急